[發明專利]納秒脈沖發生器偏置補償

在審

• 申請號: 201980049940.0
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN112823405A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 肯尼斯·米勒;迪麥西·津巴;約翰·卡斯凱德;摩根·昆利;艾麗亞·斯勞伯道夫
• 申請（專利權）人: 鷹港科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H03K3/017;H03K3/02;H03K3/30;H03K3/53;H03K3/57;H03K5/01;H03K17/74
• 代理公司: 上海君立衡知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31389
• 代理人: 黃慶

公開一種高電壓功率系統。在一些實施例中，所述高電壓功率系統包括：高電壓脈沖發生電源；變壓器，其與所述高電壓脈沖發生電源電耦合；輸出，其與所述變壓器電耦合，并且配置為輸出具有大于1kV的幅度和大于1kHz的頻率的高電壓脈沖；和偏置補償電路，其布置為與所述輸出并聯。在一些實施例中，所述偏置補償電路可以包括：阻流二極管；和DC電源，其布置為與所述阻流二極管串聯。

相關申請的交叉引用

本申請要求題為“NANOSECOND PULSER SYSTEM”的2018年7月27日提交的美國臨時專利申請No.62/711,464的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“NANOSECOND PULSER THERMAL MANAGEMENT”的2018年7月28日提交的美國臨時專利申請No.62/711,334的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“NANOSECOND PULSER PULSE GENERATION”的2018年7月27日提交的美國臨時專利申請No.62/711,457的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求2018年7月27日提交的題為“NANOSECOND PULSER ADC SYSTEM”的美國臨時專利申請No.62/711,347的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“EDGE RING POWER SYSTEM”的2018年7月27日提交的美國臨時專利申請No.62/711,467的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“NANOSECOND PULSER BIAS COMPENSATION”的2018年7月27日提交的美國臨時專利申請No.62/711,406的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“NANOSECOND PULSER CONTROL MODULE”的2018年7月27日提交的美國臨時專利申請No.62/711,468的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“PLASMA SHEATH CONTROL FOR RF PLASMA REACTORS”的2018年8月10日提交的美國臨時專利申請No.62/711,523的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“EFFICIENT NANOSECOND PULSER WITH SOURCE AND SINKCAPABILITY FOR PLASMA CONTROL APPLICATIONS”的2019年1月1日提交的美國臨時專利申請No.62/789,523的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“EFFICIENT ENERGY RECOVERY IN A NANOSECOND PULSERCIRCUIT”的2019年1月1日提交的美國臨時專利申請No.62/789,526的優先權，其通過其完整引用合并于此。

本申請要求題為“NANOSECOND PULSER BIAS COMPENSATION”的2019年7月26日提交的美國非臨時專利申請No.16/523,840的優先權，并且是其部分繼續，其通過其完整引用合并于此。

背景技術

在等離子體沉積系統中，晶圓一般通過卡夾(chuck)以靜電方式固定在腔室中。在腔室內創建等離子體，并且引入高電壓脈沖，以將等離子體內的離子加速到晶圓上。如果卡夾與晶圓之間的電勢超過特定電壓閾值(例如，大約±2kV)，則晶圓上的力可以大得足以損壞或破壞晶圓。

發明內容

本發明的實施例包括一種用于高電壓等離子體腔室(例如，比如等離子體沉積系統、半導體制造系統、等離子體濺射系統等)中的偏置補償的方法和電路。