[發(fā)明專利]磁場屏蔽片、磁場屏蔽片的制造方法及利用其的天線模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980049931.1
• 申請日: 2019-08-14
• 公開（公告）號: CN112543983B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設計）人: 張吉在;李東勛
• 申請（專利權）人: 阿莫先恩電子電器有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/12;H01F10/00;H01F27/36;H05K9/00;B32B3/18
• 代理公司: 北京鍾維聯(lián)合知識產權代理有限公司 11579
• 代理人: 羅銀燕

1.一種磁場屏蔽片的制造方法，其特征在于，

包括：

第一步驟，將薄板磁性片制成輥形態(tài)；

第二步驟，利用依次配置的熱處理爐和絕緣體涂敷裝置來對上述輥形態(tài)的薄板磁性片實施軌道式熱處理，在經熱處理的薄板磁性片的兩面形成絕緣層，在熱處理爐的前端配置通過在輥軸卷繞薄板磁性片而成的多個卷線體，以將薄板磁性片卷繞在另一輥軸的方式在絕緣體涂覆裝置的后端部配置繞線輪；

第三步驟，將形成有上述絕緣層的薄板磁性片層疊多個來形成層疊體，當形成層疊體時，以層疊上述薄板磁性片來接合的方式在上述絕緣層之間形成粘結層；

第四步驟，對上述層疊體進行片狀處理來將薄板磁性片分成多個磁性體碎片；以及

在上述第二步驟中實施上述熱處理時：

在上述薄板磁性片由Fe-Si-B合金形成的情況下，在300℃～400℃的溫度范圍下實施上述熱處理，

在上述薄板磁性片由Fe-Si-B-Cu-Nb合金形成的情況下，在400℃～550℃的溫度范圍下實施上述熱處理，來形成納米結晶粒，

在上述第二步驟至第四步驟中，通過使用輥形態(tài)的薄板磁性片來以卷對卷工序實施。

2.根據權利要求1所述的磁場屏蔽片的制造方法，其特征在于，在實施上述第三步驟之后，還包括在上述層疊體的一面層疊臨時保護部件的步驟。

3.根據權利要求1所述的磁場屏蔽片的制造方法，其特征在于，在實施上述第三步驟或第四步驟之后，還包括在上述層疊體的兩面層疊保護部件和粘結部件的步驟。

4.根據權利要求1所述的磁場屏蔽片的制造方法，其特征在于，在對上述層疊體進行片狀處理之后，還包括用于實現(xiàn)片狀處理后的上述層疊體的平坦化和減少厚度的層壓步驟。