[發明專利]靜電卡盤裝置及靜電卡盤裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201980049649.3 | 申請日: | 2019-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN112514046A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 前田佳祐;尾崎雅樹;塩尻昌幸;渡邊剛志;前田進一;金原勇貴 | 申請(專利權)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 楊楷;毛立群 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 卡盤 裝置 制造 方法 | ||
1.一種靜電卡盤裝置,其具備:
載置臺,設置有載置板狀試樣的載置面;
圓環狀的聚焦環;及
冷卻機構,冷卻所述聚焦環,
所述載置臺具有包圍所述載置面的周圍而設置的保持部,
在所述保持部設置包圍所述載置面的周圍的圓環狀的槽部和向所述槽部的底面開口的貫穿孔,
在所述保持部中,所述槽部的寬度方向兩側的上表面為與所述聚焦環接觸并保持所述聚焦環的保持面,
所述保持面由比所述槽部更靠內周側的內周面和比所述槽部更靠外周側的外周面構成,
所述保持面滿足下述條件(i)及條件(ii),
(i)所述保持面為在厚度方向的截面中連接與所述保持面的最內周對應的第1點和與所述保持面的最外周對應的第2點的直線從所述與最內周對應的第1點向所述與最外周對應的第2點具有正的斜率的形狀、或具有負的斜率的形狀,并且滿足0≤|在所述保持面的厚度方向的截面中,所述與最內周對應的第1點的高度-所述與最外周對應的第2點的高度|≤10μm;
(ii)所述內周面的泄漏面積及所述外周面的泄漏面積小于0.7mm2。
2.根據權利要求1所述的靜電卡盤裝置,其中,
所述保持面滿足下述條件(iii),
(iii)在所述保持面的厚度方向的截面中,所述與最外周對應的第2點與由所述內周面和所述外周面獲得的最小平方直線的最短距離<4μm。
3.根據權利要求1或2所述的靜電卡盤裝置,其中,
在所述槽部的底面設置有沿著所述保持部的厚度方向延伸的多個突起部,
在所述保持面的厚度方向的截面中,
以水平的基準面為基準時,所述突起部的上表面的高度為連接所述與最內周對應的第1點和所述與最外周對應的第2點的直線的高度以下。
4.一種靜電卡盤裝置的制造方法,其為制造權利要求1至3中任一項所述的靜電卡盤裝置的方法,所述靜電卡盤裝置的制造方法包括:
準備具有燒結體的臨時載置臺的工序,所述燒結體中設置有載置板狀試樣的載置面,且在所述載置面的周圍設置有貫穿孔;
針對用于載置形成于所述載置面的周圍的聚焦環的保持面,在形成所述保持面之前,確定所述保持面的寬度方向的長度的工序;
選擇砂輪的旋轉軸方向的長度比所述保持面的寬度方向的長度短的砂輪的工序;
磨削工序,使用所述砂輪,將所述燒結體的表面在所述載置面的周圍磨削成圓環狀,形成包圍所述載置面的周圍的臨時保持面;及
下挖所述燒結體的臨時保持面,形成包圍所述載置面的周圍的槽部,并形成具有所述槽部的保持面的工序。
5.根據權利要求4所述的靜電卡盤裝置的制造方法,其中,
在準備臨時載置臺的所述工序之前,進行所述確定寬度方向的長度的工序和所述選擇砂輪的工序,
在所述確定寬度方向的長度的工序與所述選擇砂輪的工序之間,包括如下工序:
準備多個不同圓周速度和多個不同寬度的砂輪,以每一種組合進行靜電卡盤裝置的制造和評價,獲得滿足條件(i)和條件(ii)的靜電卡盤的制造的條件,
在所述選擇砂輪的工序和所述磨削工序中使用所述條件。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電卡盤裝置,其中,
條件(iii)中所示的所述最短距離為0μm。
7.根據權利要求1至3及6中任一項所述的靜電卡盤裝置,其中,
條件(i)滿足0.1μm≤|在所述保持面的厚度方向的截面中,所述與最內周對應的第1點的高度-所述與最外周對應的第2點的高度|≤10μm。
8.根據權利要求1至3、6及7中任一項所述的靜電卡盤裝置,其中,
所述內周面的泄漏面積及所述外周面的泄漏面積為0.6mm2以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





