[發明專利]具有耦合在數字線之間的垂直薄膜晶體管的存儲器陣列

在審

• 申請號: 201980049411.0
• 申請日: 2019-05-09
• 公開（公告）號: CN112470224A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: S·J·德爾納;C·L·英戈爾斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/404
• 分類號: G11C11/404;G11C11/4091;G11C11/4093
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設備，其包括：

存儲器陣列，其包括耦合到第一層級處的第一數字線的存儲器單元的第一群組及耦合到所述第一層級處的第二數字線的存儲器單元的第二群組；

第三數字線，其位于第二層級處；

局部感測放大器，其耦合到所述第一數字線及所述第二數字線；

第一垂直薄膜晶體管，其位于所述第一層級與所述第二層級之間的第三層級處且耦合在所述第一數字線與所述第三數字線之間；

第二垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述第二數字線與所述第三數字線之間；及

主感測放大器，其耦合到所述第三數字線。

2.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括所述第一層級處的總線，其中所述局部感測放大器包括：

第三垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述總線與所述第三數字線之間，所述第三垂直薄膜晶體管的控制柵極耦合到所述第一數字線；及

第四垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述總線與所述第三數字線之間，所述第四垂直薄膜晶體管的控制柵極耦合到所述第二數字線。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述總線是第一總線，所述設備進一步包括：

第二總線及第三總線，其位于所述第二層級與所述第三層級之間的層級處；

第五垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述第一數字線與所述第二總線之間；及

第六垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述第二數字線與所述第三總線之間。

4.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括所述第二層級與所述第三層級之間的第四層級處的總線，其中所述局部感測放大器包括：

第四垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述第一數字線與所述總線之間，所述第三垂直薄膜晶體管的控制柵極耦合到所述第二數字線；及

第五垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處且耦合在所述第二數字線與所述總線之間，所述第四垂直薄膜晶體管的控制柵極耦合到所述第一數字線。

5.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括耦合在所述第一數字線與所述第二數字線之間的所述第三層級處的第三垂直薄膜晶體管。

6.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一數字線耦合到所述主感測放大器。

7.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的設備，其中存儲器單元的所述第一群組及所述第二群組各自包括動態隨機存取存儲器單元。

8.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的設備，其中

所述第一群組的所述存儲器單元的每一者包括通過第四層級處的相應第一存取裝置來選擇性耦合到所述第一數字線的電容器；

所述第二群組的所述存儲器單元的每一者包括通過所述第四層級處的相應第二存取裝置來選擇性耦合到所述第二數字線的電容器；

所述第一層級高于所述第四層級且位于所述第三層級與所述第四層級之間；及

所述第二層級高于所述第三層級且所述第三層級高于所述第一層級。

9.一種設備，其包括：

存儲器陣列，其包括耦合到第一層級處的第一數字線的存儲器單元的第一群組及耦合到所述第一層級處的第二數字線的存儲器單元的第二群組；

總線，其位于所述第一數字線與所述第二數字線之間的所述第一層級處；

第三數字線，其位于第二層級處；

局部感測放大器，其包括：

第一垂直薄膜晶體管，其位于所述第一層級與所述第二層級之間的第三層級處，所述第一垂直薄膜晶體管經配置以將所述總線選擇性耦合到所述第三數字線，及

第二垂直薄膜晶體管，其位于所述第三層級處，所述第二垂直薄膜晶體管經配置以將所述總線選擇性耦合到所述第三數字線。

10.根據權利要求9所述的設備，其中

所述第一數字線耦合到所述第一垂直薄膜晶體管的控制柵極；及

所述第二數字線耦合到所述第二垂直薄膜晶體管的控制柵極。