[發明專利]工件雙面拋光裝置及雙面拋光方法

有效

• 申請號: 201980049132.4
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN112672848B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 久保田真美;高梨啟一
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: B24B37/013
• 分類號: B24B37/013;B24B37/08;B24B49/04;B24B49/12;H01L21/304
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張澤洲;司昆明

本發明提供一種能夠在雙面拋光中，在工件的形狀成為目標形狀的時機結束雙面拋光的工件雙面拋光裝置及雙面拋光方法。演算部（13），進行如下工序：第1工序，按每一個工件對由工件厚度測量器（11）測量的工件厚度數據進行分類；第2工序，按每一個工件，從厚度數據中提取工件的形狀成分；第3工序，針對提取出的各形狀成分，確定測量出的工件上的工件徑向位置；第4工序，根據所確定的工件徑向位置及工件的形狀成分，計算工件的形狀分布；第5工序，根據計算出的形狀分布，求出工件形狀指標；以及第6工序，將所求出的每一個工件形狀指標成為根據前一批次中的工件形狀指標的目標值與實績值之差決定的工件形狀指標的設定值的時機，決定為結束工件雙面拋光的時機，并在所決定的時機結束雙面拋光。

技術領域

本發明涉及一種工件雙面拋光裝置及雙面拋光方法。

背景技術

在供拋光的工件的典型例的硅晶片等的半導體晶片的制造中，為了獲得更高精度的晶片的平坦度品質或表面粗糙度品質，一般采用同時拋光晶片的正面和背面的雙面拋光工序。

尤其近年來，從由于半導體元件的細微化及半導體晶片的大口經化，而曝光時的半導體晶片的平坦度要求變得嚴格的背景考慮，強烈期望在適當的時機結束拋光的方法。

一般的雙面拋光中，在拋光初期，晶片的整個面形狀是向上凸的形狀，在晶片外周也可看得見大的塌邊形狀。此時，晶片的厚度與載板的厚度相比足夠厚。接著，進行拋光時，晶片的整個面形狀雖然接近平坦，但在晶片外周留有塌邊形狀。此時，晶片的厚度為與載板的厚度相比稍微厚的狀態。進一步進行拋光時，晶片的整個面形狀成為大致平坦的形狀，晶片外周的塌邊量變小。此時，晶片的厚度與載板的厚度大致相等。之后，進行拋光時，晶片的形狀漸漸成為中心部凹下的形狀，晶片的外周成為向上傾斜的形狀。此時，晶片的厚度成為與載板的厚度相比薄的狀態。

根據上述說明，為了獲得整個面及外周的平坦度高的晶片，一般直到晶片厚度大致等于載板的厚度為止，進行晶片的拋光，操作者通過調整拋光時間，對拋光量進行控制。

可是，在由操作者進行的拋光時間的調整中，由于較大地受到拋光輔助材料的更換時機或裝置的停止時機的偏差等拋光環境的影響，因此不一定能夠準確地控制拋光量，結果很大程度上依賴于操作者的經驗。

相對于此，例如，專利文獻1中，提出有能夠從上平臺的上方（或下平臺的下方）的監視孔（貫穿孔）實時測量拋光中的晶片厚度，并根據該測量結果，判定拋光結束時機的晶片的雙面拋光裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第2010-030019號公報。

發明內容

發明所要解決的技術問題

以專利文獻1為首的以往的方法中，由于根據晶片厚度的測量結果進行結束雙面拋光的時機，因此能夠在預先設定的厚度結束拋光。但是，存在拋光后的晶片的形狀與目標形狀不一致的問題。

本發明欲解決上述的問題，其目的在于提供一種能夠在雙面拋光中，在工件形狀成為目標形狀的時機結束雙面拋光的工件雙面拋光裝置及雙面拋光方法。

用于解決技術問題的方案

解決上述技術問題的本發明如下：

[1]一種工件雙面拋光裝置，其具備：旋轉平臺，具有上平臺及下平臺；太陽齒輪，設置在上述旋轉平臺的中心部；內齒輪，設置在該旋轉平臺的外周部；以及載板，設置在所述上平臺與所述下平臺之間，并設置有保持工件的1個以上的晶片保持孔，

所述上平臺或所述下平臺具有從該上平臺或下平臺的上表面貫穿到下表面的1個以上的監視孔，