[發明專利]單晶硅的碳濃度測定方法及裝置在審
| 申請號： | 201980048489.0 | 申請日： | 2019-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN112654856A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 小林省吾 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/3563 | 分類號： | G01N21/3563;G01N21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 閆小龍;陳嵐 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 濃度 測定 方法 裝置 | ||
1.一種單晶硅的碳濃度測定方法，其特征在于，具備：
通過FT-IR測定單晶硅的試樣的碳濃度的步驟；
在所述試樣的碳濃度的測定過程中或測定前或測定后測定所述試樣的溫度的步驟；及
當所測定出的所述試樣的碳濃度為0.5×1016atoms/cm3以下時，根據所述試樣的測定溫度校正所述試樣的碳濃度的測定值的步驟。
2.根據權利要求1所述的碳濃度測定方法，其中，
校正所述試樣的碳濃度的測定值的步驟包括：
根據所述試樣的測定溫度與基準溫度的溫度差及校正系數計算所述碳濃度的校正量的步驟；及
通過將所述校正量與所述碳濃度的測定值進行加法運算來計算所述基準溫度下的所述試樣的碳濃度的步驟。
3.根據權利要求2所述的碳濃度測定方法，其中，
在將所述試樣的碳濃度的測定值設為Ycs，將所述試樣的測定溫度設為T，將所述試樣的基準溫度設為T0，將所述校正系數設為A，并將所述基準溫度T0下的所述試樣的碳濃度設為Ycs’時，在校正所述試樣的碳濃度的測定值Ycs的步驟中計算所述基準溫度T0下的所述試樣的碳濃度Ycs’=Ycs+A×（T0-T）。
4.根據權利要求2或3所述的碳濃度測定方法，其還包括：
在計算所述碳濃度的校正量之前，根據多個測定溫度下的所述試樣的碳濃度的測定值設定所述校正系數的值的步驟。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的碳濃度測定方法，其中，
所述校正系數為0.011×1016～0.014×1016（atoms/（cm3·℃））的范圍內的值。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的碳濃度測定方法，其中，
測定對所述試樣進行測定的測定室內的溫度，并根據該測定室內的溫度推算所述試樣的溫度，由此間接測定所述試樣的溫度。
7.一種單晶硅的碳濃度測定裝置，其特征在于，具備：
碳濃度測定部，通過FT-IR測定單晶硅的試樣的碳濃度；
第1溫度計，在所述試樣的碳濃度的測定過程中或測定前或測定后測定所述試樣的溫度；及
碳濃度校正部，當所測定出的所述試樣的碳濃度為0.5×1016atoms/cm3以下時，根據所述試樣的測定溫度校正所述試樣的碳濃度的測定值。
8.根據權利要求7所述的單晶硅的碳濃度測定裝置，其中，
所述碳濃度校正部包括：
校正量計算部，根據所述試樣的測定溫度與基準溫度的溫度差及校正系數計算所述碳濃度的校正量；及
校正值計算部，通過將所述校正量與所述碳濃度的測定值進行加法運算來計算所述基準溫度下的所述試樣的碳濃度。
9.根據權利要求7或8所述的單晶硅的碳濃度測定裝置，其還具備：第2溫度計，測定對所述試樣進行測定的測定室內的溫度，
通過根據該測定室內的溫度推算所述試樣的溫度來間接測定所述試樣的溫度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于勝高股份有限公司，未經勝高股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980048489.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
