[發明專利]固體攝像裝置在審
| 申請號: | 201980047206.0 | 申請日: | 2019-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN112424938A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 佐藤友亮 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 房嶺梅;姚鵬 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,包括:
多個攝像元件塊,其分別由多個攝像元件構成,其中,
每個攝像元件包括:
第一電極;
電荷累積電極,其與所述第一電極間隔開地設置;
光電轉換部,其與所述第一電極接觸并隔著絕緣層形成在所述電荷累積電極上方;以及
第二電極,其形成在所述光電轉換部上,
所述第一電極和所述電荷累積電極設置在層間絕緣層上,并且
所述第一電極連接到設置在所述層間絕緣層中的連接部。
2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,所述攝像元件塊由沿著第一方向的P個攝像元件和沿著與所述第一方向不同的第二方向的Q個攝像元件的P×Q個(其中,P≥2且Q≥1)攝像元件構成。
3.根據權利要求2所述的固體攝像裝置,其中,
滿足P=2且Q=1,并且
分別構成沿著所述第一方向的兩個攝像元件的第一電極連接到設置在所述層間絕緣層中的所述連接部。
4.根據權利要求3所述的固體攝像裝置,其中,所述攝像元件塊被連續的隔離電極圍繞。
5.根據權利要求4所述的固體攝像裝置,其中,從所述隔離電極沿著所述第二方向延伸的連續的第二隔離電極設置在沿著所述第一方向的所述兩個攝像元件之間。
6.根據權利要求3所述的固體攝像裝置,其中,沿著所述第二方向延伸的第二隔離電極設置在沿著所述第一方向的所述兩個攝像元件之間。
7.根據權利要求2所述的固體攝像裝置,其中,
滿足P=2,且Q是等于或大于2的自然數,并且
分別構成沿著所述第一方向的兩個攝像元件的第一電極連接到設置在所述層間絕緣層中的所述連接部。
8.根據權利要求7所述的固體攝像裝置,其中,所述攝像元件塊被連續的隔離電極圍繞。
9.根據權利要求8所述的固體攝像裝置,其中,從所述隔離電極沿著所述第二方向延伸的連續的第二隔離電極設置在沿著所述第一方向的所述兩個攝像元件之間。
10.根據權利要求7所述的固體攝像裝置,其中,沿著所述第二方向延伸的第二隔離電極設置在沿著所述第一方向的所述兩個攝像元件之間。
11.根據權利要求2所述的固體攝像裝置,其中,
滿足P=2且Q=2,
構成沿著所述第二方向的兩個攝像元件的第一電極被共享,并且
所述共享的第一電極連接到設置在所述層間絕緣層中的所述連接部。
12.根據權利要求2所述的固體攝像裝置,其中,
滿足P=2且Q=2,
構成沿著所述第一方向的兩個攝像元件的第一電極被共享,并且
共享的所述第一電極連接到設置在所述層間絕緣層中的連接部。
13.根據權利要求11或12所述的固體攝像裝置,其中,所述攝像元件塊被連續的隔離電極圍繞。
14.根據權利要求13所述的固體攝像裝置,其中,從所述隔離電極沿著所述第二方向延伸的連續的第二隔離電極設置在沿著所述第一方向的所述兩個攝像元件之間。
15.根據權利要求11所述的固體攝像裝置,其中,沿著所述第二方向延伸的第二隔離電極設置在沿著所述第一方向的兩個攝像元件之間。
16.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,所述攝像元件相對于在構成所述攝像元件塊的所述攝像元件之間沿著所述第二方向延伸的邊界線線對稱地設置。
17.根據權利要求4所述的固體攝像裝置,其中,所述隔離電極的電位具有固定值VES。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





