[發(fā)明專利]用于具有減少的粘合劑含量的干電極膜的組合物和方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980047108.7
• 申請(qǐng)日: 2019-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN112424973A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尤迪·尤迪;希厄·明赫·東;申俊昊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 麥斯韋爾技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01M4/04
• 分類號(hào): H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/62;H01G11/28;H01G11/32;H01G11/42;H01G11/46;H01G11/50;H01G11/06;H01M4/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 曲在丹

1.一種制造儲(chǔ)能設(shè)備的干電極膜的方法，包括：

將活性材料與多孔碳材料混合以形成干活性材料混合物；

將所述干活性材料混合物與干粘合劑混合以形成干電極膜混合物；和

壓延所述干電極膜混合物以形成具有至多約2重量％的粘合劑負(fù)載量的自立式干電極膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中壓延所述干電極膜混合物包括至多三次通過壓延機(jī)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述活性材料與所述多孔碳材料的混合以及所述干活性材料混合物與干粘合劑的混合中的至少一種是通過無破壞性混合工藝進(jìn)行的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述無破壞性混合工藝是共振聲混合工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述無破壞性混合工藝通過葉片型混合器以約10米/min-約40米/min的葉尖速度進(jìn)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述活性材料與所述多孔碳材料的混合以及所述干活性材料混合物與干粘合劑的混合中的至少一種是通過高剪切工藝進(jìn)行的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述高剪切工藝包括噴射研磨工藝。

8.一種儲(chǔ)能設(shè)備的干電極膜，包含：

約90重量％-約99重量％的干活性材料；和

至多約2重量％的干粘合劑，其中所述干電極膜是自支撐的。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的干電極膜，其包含約95重量％-約98重量％的所述干活性材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述干活性材料包含D₅₀粒徑至少約10μm的干活性材料粒子。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的干電極膜，其中所述干活性材料粒子的D₅₀粒徑為約10μm-約20μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述干活性材料選自金屬氧化物、金屬硫化物、硫碳復(fù)合物、鋰金屬氧化物和含硫材料中的至少之一。

13.根據(jù)權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述電極膜包含約1重量％-約2重量％的干粘合劑。

14.根據(jù)權(quán)利要求8-13中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述干粘合劑基本上由單種干粘合劑組成。

15.根據(jù)權(quán)利要求8-14中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述干粘合劑包括可原纖化的干粘合劑。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的干電極膜，其中所述可原纖化的干粘合劑包括聚四氟乙烯(PTFE)。

17.根據(jù)權(quán)利要求8-16中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述干電極膜還包含至多約8重量％的多孔碳材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的干電極膜，其中所述多孔碳材料包括活性碳。

19.根據(jù)權(quán)利要求8-18中任一項(xiàng)所述的干電極膜，其中所述干電極膜還包含至多約5重量％的導(dǎo)電添加劑。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的干電極膜，其中所述導(dǎo)電添加劑包括導(dǎo)電碳材料。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的干電極膜，其中所述導(dǎo)電碳材料包括碳黑。