[發(fā)明專利]利用交變電場(chǎng)產(chǎn)生治療癌癥的系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980047095.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112423836A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | B·亨德里克斯;K·史密斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 迪格尼提健康公司 |
| 主分類號(hào): | A61N1/05 | 分類號(hào): | A61N1/05;A61N1/32;A61N1/372 |
| 代理公司: | 北京坤瑞律師事務(wù)所 11494 | 代理人: | 封新琴 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 交變電場(chǎng) 產(chǎn)生 治療 癌癥 系統(tǒng) 方法 | ||
本文公開了用于使用硬膜下植入的交變電場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備治療腦癌的系統(tǒng)和方法的各種實(shí)施例。
這是一件PCT申請(qǐng),其要求2018年7月17日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)第62/669,146號(hào)的權(quán)益,所述申請(qǐng)以全文引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開總體上涉及癌癥的治療,且確切地說,涉及經(jīng)由電場(chǎng)產(chǎn)生的腦癌的治療。
背景技術(shù)
交變電場(chǎng)(AEF)療法是使用低強(qiáng)度電場(chǎng)來治療腦癌腫瘤、特別是膠質(zhì)母細(xì)胞瘤的一種類型的電磁場(chǎng)療法。常規(guī)癌癥治療包括化學(xué)療法和輻射,其與治療相關(guān)毒性和高腫瘤復(fù)發(fā)率相關(guān)。AEF使用交變電場(chǎng)來破壞癌細(xì)胞中的細(xì)胞分裂,從而抑制細(xì)胞復(fù)制且引發(fā)細(xì)胞凋亡(細(xì)胞死亡)。然而,一些局部AEF治療方法與皮膚刺激和皮疹有關(guān),以及與患者維持剃刮頭部并限制身體活動(dòng)的要求有關(guān)。
考慮到這些觀察結(jié)果,尤其構(gòu)思和開發(fā)了本公開的各個(gè)方面。
附圖說明
圖1是顯示本發(fā)明系統(tǒng)的電極陣列和控制器模塊的圖,其中所述電極陣列植入到大腦中,且所述控制器模塊具有操作性地連接到所述電極陣列的導(dǎo)線;
圖2是圖1的系統(tǒng)相對(duì)于患者身體的說明;
圖3是顯示圖1的系統(tǒng)的電極陣列的布置如何可包圍大腦的癌變區(qū)域的說明;
圖4是顯示圖1的系統(tǒng)的控制器模塊、外部計(jì)算機(jī)和電極陣列的硬件如何相互作用的簡(jiǎn)化框圖;和
圖5是顯示使用圖1的系統(tǒng)的患者的治療和優(yōu)化過程的流程圖;
對(duì)應(yīng)的元件符號(hào)在圖式的視圖中指示對(duì)應(yīng)元件。圖中所使用的標(biāo)題不限制權(quán)利要求書的范圍。
具體實(shí)施方式
交變電場(chǎng)應(yīng)用是具有降低治療相關(guān)毒性的潛力的新興癌癥治療類型。在交變電場(chǎng)應(yīng)用中,將交變電場(chǎng)施加到大腦的癌變區(qū)域,從而破壞快速分裂的癌細(xì)胞的細(xì)胞分裂。為了對(duì)患者施用交變電場(chǎng)治療,本文公開了一種用于交變電場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備的系統(tǒng)和方法,本文中稱為“本發(fā)明系統(tǒng)”,其用于在身體內(nèi)的所需位置處產(chǎn)生優(yōu)化強(qiáng)度的交變電場(chǎng),從而在目標(biāo)治療位置處抑制癌細(xì)胞的細(xì)胞分裂和/或引發(fā)癌細(xì)胞的細(xì)胞凋亡。
除其它方面外,本發(fā)明系統(tǒng)提供一種硬膜下植入設(shè)備的系統(tǒng)和方法,其中,通過使用硬膜下植入的硬膜下電極陣列和深度植入到大腦組織中的深度刺激電極,產(chǎn)生靶向交變電場(chǎng)以用于治療快速分裂的癌細(xì)胞。在一個(gè)方面中,刺激電極的陣列與控制器模塊操作性地通信,其中控制器模塊產(chǎn)生波形以形成交變電場(chǎng)且接收來自刺激電極的陣列的反饋。參考圖式,在圖1-5中,本發(fā)明系統(tǒng)的實(shí)施例總體上標(biāo)示為100。
參考圖1和2,在本發(fā)明系統(tǒng)100的一些實(shí)施例中,包括刺激電極103和104的主陣列101經(jīng)配置以放置在患者大腦的硬腦膜下方。主陣列101借助于導(dǎo)線陣列110與控制器模塊120操作性地通信。控制器模塊120可操作以產(chǎn)生交變電場(chǎng)、接收來自主陣列101的反饋且與外部計(jì)算機(jī)200通信以用于接收操作參數(shù)以及導(dǎo)出與交變電場(chǎng)的強(qiáng)度有關(guān)的操作數(shù)據(jù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于迪格尼提健康公司,未經(jīng)迪格尼提健康公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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