[發明專利]改善的漏極和/或柵極互連件以及指狀結構

在審

• 申請號: 201980046430.8
• 申請日: 2019-07-09
• 公開（公告）號: CN112424930A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: Z·莫克提;F·特朗;H·蔣
• 申請（專利權）人: 克里公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩

1.一種晶體管器件，包括：

半導體結構；

柵極指，在第一方向上在所述半導體結構上延伸；和

柵極互連件，在所述第一方向上延伸并且被構造為在所述柵極互連件的內部位置處耦合到柵極信號，其中，所述柵極互連件在從所述柵極互連件的所述內部位置偏移的位置處連接到所述柵極指。

2.根據權利要求1所述的晶體管器件，其中，所述柵極指包括在所述柵極指的相對邊緣處的邊緣部分，其中，中心部分在所述邊緣部分之間，以及

其中，所述柵極互連件經由多個導電通孔連接到所述柵極指的所述邊緣部分。

3.根據權利要求1或2所述的晶體管器件，其中，所述柵極指沒有連接到所述柵極指的所述中心部分的導電通孔。

4.根據權利要求1-3中的任一項所述的晶體管器件，其中，所述邊緣部分與所述柵極指的相應的相對邊緣相距所述柵極指在所述第一方向上的寬度的三分之一以內。

5.根據權利要求1-4中的任一項所述的晶體管器件，其中，所述柵極互連件在所述柵極指上的與所述柵極指的第一邊緣相鄰的第一位置處以及在所述柵極指上的與所述柵極指的第二邊緣相鄰的第二位置處連接到所述柵極指。

6.根據權利要求1-5中的任一項所述的晶體管器件，還包括：

柵極流道，在所述第一方向上在所述半導體結構上延伸，

其中，所述柵極互連件具有第一端部和第二端部，以及

其中，所述柵極互連件在所述柵極互連件的遠離所述柵極互連件的所述第一端部和所述第二端部的所述內部位置處連接到所述柵極流道。

7.根據權利要求6所述的晶體管器件，其中，所述柵極指在所述半導體結構上方的第一水平處在所述半導體結構上延伸，所述柵極互連件在所述半導體結構上方的高于所述第一水平的第二水平處在所述半導體結構上延伸，并且所述柵極流道在所述半導體結構上方的等于或高于所述第二水平的第三水平處在所述半導體結構上延伸。

8.根據權利要求1-7中的任一項所述的晶體管器件，其中，所述柵極指包括第一段和第二段，在所述第一段和所述第二段之間具有間隙。

9.根據權利要求1-8中的任一項所述的晶體管器件，還包括：

漏極指，在所述第一方向上在所述半導體結構上延伸；以及

漏極互連件，在所述第一方向上延伸并且被構造為在所述漏極互連件的內部位置處耦合到漏極信號，其中，所述漏極互連件通過多個導電通孔連接到所述漏極指。

10.根據權利要求1-9中的任一項所述的晶體管器件，其中，從所述柵極互連件的內部位置偏移的所述位置從所述柵極互連件的內部位置偏移第一偏移量并且從所述柵極指的邊緣偏移第二偏移量，以及

其中，所述第一偏移量大于所述第二偏移量。

11.一種晶體管器件，包括：

半導體結構；

漏極指，在第一方向上在所述半導體結構上延伸；以及

漏極互連件，在所述第一方向上延伸并且被構造為在所述漏極互連件的內部位置處耦合到漏極信號，其中，所述漏極互連件在從所述漏極互連件的所述內部位置偏移的位置處連接到所述漏極指。

12.根據權利要求11所述的晶體管器件，其中，所述漏極指包括在所述漏極指的相對邊緣處的邊緣部分，其中，中心部分在所述邊緣部分之間，以及

其中，所述漏極互連件經由多個導電通孔連接到所述漏極指的所述邊緣部分。

13.根據權利要求11或12所述的晶體管器件，其中，所述漏極指沒有連接到所述漏極指的所述中心部分的導電通孔。