[發(fā)明專利]絕緣電線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980045985.0 | 申請日： | 2019-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN112384996B | 公開（公告）日： | 2023-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 太田直樹;黑澤優(yōu)介 | 申請（專利權(quán)）人： | 日星電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01B7/295 | 分類號： | H01B7/295;C08K5/5419;C08L83/04;H01B3/44;H01B3/46;H01B7/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張勁松 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 電線 | ||
1.一種絕緣電線，在導體的周圍包覆有含有有機聚硅氧烷的絕緣層，其特征在于，
殘留于該絕緣層的沸點處于150℃～360℃的范圍的揮發(fā)性有機化合物和準揮發(fā)性有機化合物的殘留量合計為1500ppm以下，
該沸點處于150℃～360℃的范圍的揮發(fā)性有機化合物和準揮發(fā)性有機化合物為D4～D10的低分子量環(huán)狀硅氧烷。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的D4～D6的低分子量環(huán)狀硅氧烷中的至少一個的殘留量為1000ppm以下。
3.如權(quán)利要求1所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的D4～D8的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量合計為500ppm以下。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的D4～D10的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量合計為400ppm以下。
5.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的D6的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量為100ppm以下。
6.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的D8的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量為300ppm以下。
7.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的D10的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量為200ppm以下。
8.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的沸點處于150℃～360℃的范圍的揮發(fā)性有機化合物混和準揮發(fā)性有機化合物的殘留量合計與殘留于該絕緣層的升華性物質(zhì)的殘留量合計之和為1500ppm以下。
9.如權(quán)利要求8所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于該絕緣層的該升華性物質(zhì)的殘留量合計為300ppm以下。
10.如權(quán)利要求8所述的絕緣電線，其特征在于，
該升華性物質(zhì)為苯甲酸、或苯甲酸的衍生物。
11.一種絕緣電線，在導體的周圍包覆有包含第一絕緣層和第二絕緣層的至少兩個絕緣層，其特征在于，
該第一絕緣層和該第二絕緣層的至少一方含有有機聚硅氧烷，
殘留于所有的該絕緣層的沸點處于150℃～360℃的范圍的揮發(fā)性有機化合物和準揮發(fā)性有機化合物的殘留量合計為1500ppm以下，
該沸點處于150℃～360℃的范圍的揮發(fā)性有機化合物和準揮發(fā)性有機化合物為D4～D10的低分子量環(huán)狀硅氧烷。
12.如權(quán)利要求11所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于含有該有機聚硅氧烷的該絕緣層的D4～D6的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量合計為100ppm以下。
13.如權(quán)利要求11所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于含有該有機聚硅氧烷的該絕緣層的D4～D8的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量合計為500ppm以下。
14.如權(quán)利要求11所述的絕緣電線，其特征在于，
殘留于含有該有機聚硅氧烷的該絕緣層的D4～D10的低分子量環(huán)狀硅氧烷的殘留量合計為1000ppm以下。
15.如權(quán)利要求11～14中任一項所述的絕緣電線，其特征在于，
在該第一絕緣層與該第二絕緣層之間，設(shè)置有相對于該沸點處于150℃～360℃的范圍的揮發(fā)性有機化合物和準揮發(fā)性有機化合物顯示低透過性的透過抑制層。
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