[發(fā)明專利]選擇性蝕刻材料的改進(jìn)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980045475.3
• 申請(qǐng)日: 2019-06-14
• 公開（公告）號(hào): CN112384597A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王界入;吳幸臻;許家榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩特格里斯公司
• 主分類號(hào): C09K13/08
• 分類號(hào): C09K13/08;C09K13/06
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 李婷

1.一種選擇性去除氧化鋁或氮化鋁材料的方法，所述方法包含使所述材料與水性蝕刻組合物接觸，所述水性蝕刻組合物包含：

含氟化物源的蝕刻劑；和

金屬腐蝕抑制劑；

其中所述組合物的pH在3到8范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻劑選自HF、氟化銨和氟化四烷基銨。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中按所述組合物的總重量計(jì)，所述組合物中蝕刻劑的量在0.001到0.5wt./wt.％的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合物包含雜環(huán)氮化合物金屬腐蝕抑制劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述組合物包含經(jīng)取代的苯并三唑腐蝕抑制劑，任選地為5-甲基-苯并三唑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中按所述組合物的總重量計(jì)，所述組合物中任選地經(jīng)取代的苯并三唑腐蝕抑制劑的量在0.1wt./wt.％到1wt./wt.％范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合物包含陽(yáng)離子表面活性劑腐蝕抑制劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合物包含季銨金屬腐蝕抑制劑，其包含式(I)的季銨陽(yáng)離子：

其中R¹、R²、R³和R⁴獨(dú)立地選自季銨化基團(tuán)，且其中R⁴包含至少8個(gè)碳原子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中R¹包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基季銨化基團(tuán)，和/或其中R²和R³獨(dú)立地選自具有1到5個(gè)碳原子范圍內(nèi)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述季銨金屬腐蝕抑制劑包含氯化苯甲基二甲基十二烷基銨。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中按所述組合物的總重量計(jì)，所述組合物中季銨金屬腐蝕抑制劑的量在0.001wt./wt.％到0.01wt./wt.％范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合物的pH在3到5范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合物包含pH緩沖劑，任選地是乙酸銨。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合物包含有機(jī)溶劑，任選地是亞砜、二醇、醚和碳酸酯中的一種或多種。

15.一種水性蝕刻組合物，其包含：含氟化物源的蝕刻劑；和金屬腐蝕抑制劑；其中所述組合物的pH在3到8范圍內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的水性蝕刻組合物，其用稀釋劑、任選地用水稀釋。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的組合物，其能夠?qū)崿F(xiàn)以下中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：

-至少50埃/分鐘的氮化鋁蝕刻速率；

-至多4埃/分鐘的鎢蝕刻速率；

-至多4埃/分鐘的鈷蝕刻速率；

-至多4埃/分鐘的低k介電蝕刻速率。