[發明專利]燒結合金及其制造方法有效
| 申請號: | 201980045440.X | 申請日: | 2019-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN112368409B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 深江大輔;河田英昭 | 申請(專利權)人: | 昭和電工材料株式會社 |
| 主分類號: | C22C33/02 | 分類號: | C22C33/02;B22F3/10;C22C9/00;C22C38/00;C22C38/42;C22C38/50 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 陳彥;郭玫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 燒結 合金 及其 制造 方法 | ||
1.一種燒結合金,其整體組成以質量%計包含Cr:13.86~27.72%,Ni:6.47~20.33%,Cu:0.85~11.05%,Si:0.46~2.77%,P:0.15~1.95%,C:0.20~1.00%,以及余量的Fe和不可避免的元素,
所述燒結合金的密度為6.8~7.4Mg/m3,
所述燒結合金顯示金屬組織,所述金屬組織具有分散有氣孔的鐵合金基體以及分散于所述鐵合金基體中的碳化物,所述鐵合金基體由平均晶體粒徑為10~50μm的晶粒構成。
2.根據權利要求1所述的燒結合金,在所述燒結合金的表面以及所述氣孔的內表面形成有氮化物。
3.一種燒結合金,其整體組成以質量%計包含Cr:13.86~27.72%,Ni:6.47~20.33%,Cu:0.85~11.05%,Si:0.46~2.77%,P:0.15~1.95%,C:0.20~1.00%,碳化物生成元素:小于或等于3.23%,以及余量的Fe和不可避免的元素,
所述燒結合金的密度為6.8~7.4Mg/m3,
所述碳化物生成元素為選自由Mo、V、W、Nb和Ti所組成的組中的至少1種元素,
所述燒結合金顯示金屬組織,所述金屬組織具有分散有氣孔的鐵合金基體以及分散于所述鐵合金基體中的碳化物,所述鐵合金基體由平均晶體粒徑為10~50μm的晶粒構成。
4.根據權利要求3所述的燒結合金,在所述燒結合金的表面以及所述氣孔的內表面形成有氮化物。
5.一種權利要求1所述的燒結合金的制造方法,其中,
準備以質量%計包含Cr:15~30%,Ni:7~24%,Si:0.5~3.0%,以及余量的Fe和不可避免的雜質的鐵合金粉末,
準備磷和銅配合用的配合材,所述配合材包含選自磷含量為10~30質量%的鐵-磷合金粉末、磷含量為5~25質量%的銅-磷合金粉末以及銅粉末中的1種或多種的組合,
將所述鐵合金粉末、所述配合材和石墨粉末進行混合,調制含有0.15~1.95質量%的磷、0.85~11.05質量%的銅以及0.20~1.00質量%的碳的原料粉末,
將所述原料粉末進行壓縮,形成密度為6.0~6.8Mg/m3的壓粉體,
在非氧化性氣氛下,將所述壓粉體加熱至1050~1160℃的溫度進行燒結。
6.根據權利要求5所述的燒結合金的制造方法,所述配合材為以所述鐵-磷合金粉末和所述銅-磷合金粉末中的一者或兩者的形態含有磷,且以所述銅粉末和所述銅-磷合金粉末中的一者或兩者的形態含有銅的粉末。
7.根據權利要求5或6所述的燒結合金的制造方法,所述非氧化性氣氛為由包含大于或等于10質量%氮的氮氣與氫氣的混合氣體、或者氮氣形成的常壓的氣氛。
8.一種權利要求3所述的燒結合金的制造方法,其中,
準備鐵合金粉末,所述鐵合金粉末以質量%計包含Cr:15~30%,Ni:7~24%,Si:0.5~3.0%,碳化物生成元素:小于或等于3質量%,以及余量的Fe和不可避免的雜質,所述碳化物生成元素為選自由Mo、V、W、Nb和Ti所組成的組中的至少1種元素,
準備磷和銅配合用的配合材,所述配合材包含選自磷含量為10~30質量%的鐵-磷合金粉末、磷含量為5~25質量%的銅-磷合金粉末以及銅粉末中的1種或多種的組合,
將所述鐵合金粉末、所述配合材和石墨粉末進行混合,調制含有0.15~1.95質量%的磷、0.85~11.05質量%的銅以及0.20~1.00質量%的碳的原料粉末,
將所述原料粉末進行壓縮,形成密度為6.0~6.8Mg/m3的壓粉體,
在非氧化性氣氛下,將所述壓粉體加熱至1050~1160℃的溫度進行燒結。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昭和電工材料株式會社,未經昭和電工材料株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980045440.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





