[發明專利]反射光學元件的基板

有效

• 申請號: 201980045269.2
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN112384483B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: E.伊娃
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: C03C3/06
• 分類號: C03C3/06;C03C17/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種基板，用于極紫外波長范圍的反射光學元件，所述基板由摻雜鈦的石英玻璃制成、具有要涂覆的表面區域，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁶/cm³的Si-O-O-Si鍵的比例和/或至少1*10¹⁶/cm³的Si-Si鍵的比例。

2.根據權利要求1所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁷/cm³的Si-O-O-Si鍵的比例和/或至少1*10¹⁷/cm³的Si-Si鍵的比例。

3.根據權利要求1所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁸/cm³的Si-O-O-Si鍵的比例。

4.根據權利要求1所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁹/cm³的Si-O-O-Si鍵的比例。

5.根據權利要求1所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁸/cm³的Si-Si鍵的比例。

6.根據權利要求1所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁹/cm³的Si-Si鍵的比例。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近的平均羥基含量按重量至多為100ppm。

8.根據權利要求7所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃在所述表面區域(511)附近的基質終止劑含量為至多20％的羥基含量。

9.根據權利要求7所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近的氫含量小于1x10¹⁶分子/cm³。

10.根據權利要求1至6中任一項所述的基板，其特征在于，所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有氟化硅或氯化硅。

11.一種基板，用于極紫外波長范圍的反射光學元件，所述基板由摻雜鈦的石英玻璃制成、具有要涂覆的表面區域，其特征在于，沿著垂直于所述表面區域(511)的虛線(513)、在500nm或更多的長度(517)之上，所述摻雜鈦的石英玻璃的氫含量大于5x10¹⁸分子/cm³，以及所述摻雜鈦的石英玻璃至少在所述表面區域(511)附近具有至少1*10¹⁶/cm³的Si-O-O-Si鍵的比例和/或至少1*10¹⁶/cm³的Si-Si鍵的比例。

12.根據權利要求11所述的基板，其特征在于，沿著垂直于所述表面區域(511)的虛線(513)、在500nm或更多的長度(517)之上，所述摻雜鈦的石英玻璃的氫含量大于1x10¹⁹分子/cm³。

13.根據權利要求11所述的基板，其特征在于，沿著垂直于所述表面區域(511)的虛線(513)、在500nm或更多的長度(517)之上，所述摻雜鈦的石英玻璃的氫含量大于1x10²⁰分子/cm³。