[發(fā)明專利]控制等離子體加工的系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980045152.4 | 申請(qǐng)日： | 2019-08-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112424904A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 阿洛科·蘭詹;彼得·文特澤克;大幡光德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 陳煒;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 控制 等離子體 加工 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種等離子體加工系統(tǒng)，包括：
真空室；
第一耦合電極，該第一耦合電極被配置為提供用于在該真空室中生成等離子體的功率，該第一耦合電極被進(jìn)一步配置為將源功率(SP)脈沖耦合到該等離子體；
襯底固持器，該襯底固持器布置在該真空室中，并且被配置為支撐襯底；
第二耦合電極，該第二耦合電極被配置為將偏置功率(BP)脈沖耦合到該襯底；以及
控制器，該控制器被配置為控制這些SP脈沖這些BP脈沖之間的第一偏移持續(xù)時(shí)間。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體加工系統(tǒng)，其中：
該第一耦合電極電容耦合到該等離子體，其中，該等離子體加工系統(tǒng)包括電容耦合等離子體加工系統(tǒng)；或者
該第一耦合電極電感耦合到該等離子體，其中，該等離子體加工系統(tǒng)包括電感耦合等離子體加工系統(tǒng)；或者
其中，該第一耦合電極通過微波波導(dǎo)和縫隙天線耦合到該等離子體，其中，該等離子體加工系統(tǒng)包括表面波等離子體加工系統(tǒng)。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體加工系統(tǒng)，進(jìn)一步包括第一函數(shù)發(fā)生器，該第一函數(shù)發(fā)生器被配置為生成該SP脈沖，其中，該控制器包括：
定時(shí)電路，該定時(shí)電路被配置為生成該第一偏移持續(xù)時(shí)間；以及
第一脈沖調(diào)制電路，該第一脈沖調(diào)制電路包括耦合到該第一函數(shù)發(fā)生器的輸入端的第一輸出端和耦合到該定時(shí)電路的第二輸出端。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體加工系統(tǒng)，進(jìn)一步包括：
第二脈沖調(diào)制電路，該第二脈沖調(diào)制電路耦合到該定時(shí)電路；以及
第二函數(shù)發(fā)生器，該第二函數(shù)發(fā)生器耦合到該第二脈沖調(diào)制電路并且被配置為生成這些BP脈沖。
5.如權(quán)利要求3所述的等離子體加工系統(tǒng)，其中，該定時(shí)電路被進(jìn)一步配置為控制這些BP脈沖與這些SP脈沖之間的第二偏移持續(xù)時(shí)間。
6.如權(quán)利要求3所述的等離子體加工系統(tǒng)，其中，該第一脈沖調(diào)制電路包括第一輸入端和第二輸入端，該第一輸入端被配置為接收第一脈沖頻率，該第二輸入端被配置為接收第一脈沖寬度，并且其中，該第一脈沖調(diào)制電路被進(jìn)一步配置為基于該第一脈沖頻率和該第一脈沖寬度在輸出端處生成SP脈沖信號(hào)。
7.如權(quán)利要求3所述的等離子體加工系統(tǒng)，其中，該定時(shí)電路包括被配置為接收時(shí)間延遲的定時(shí)電路輸入端，并且其中，該定時(shí)電路被進(jìn)一步配置為基于該時(shí)間延遲來設(shè)置該第一偏移持續(xù)時(shí)間。
8.如權(quán)利要求3所述的等離子體加工系統(tǒng)，其中，該第一函數(shù)發(fā)生器被配置為通過利用在第一頻率下生成的交流(AC)信號(hào)對(duì)從該第一脈沖調(diào)制電路接收的SP脈沖信號(hào)進(jìn)行調(diào)制來生成這些SP脈沖。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體加工系統(tǒng)，進(jìn)一步包括：
第二脈沖調(diào)制電路，該第二脈沖調(diào)制電路耦合到該定時(shí)電路并且被配置為生成BP脈沖信號(hào)；以及
第二函數(shù)發(fā)生器，該第二函數(shù)發(fā)生器耦合到該第二脈沖調(diào)制電路并且被配置為通過利用在第二頻率下生成的AC信號(hào)對(duì)該BP脈沖信號(hào)進(jìn)行調(diào)制來生成這些BP脈沖，其中，該第二頻率小于約15MHz，并且其中，該第一頻率大于約10MHz。
10.一種裝置，包括：
真空室；
耦合電極，該耦合電極耦合到源功率(SP)供應(yīng)節(jié)點(diǎn)并且被配置為使用第一SP脈沖序列在該真空室內(nèi)生成等離子體；以及
襯底固持器，該襯底固持器耦合到偏置功率(BP)供應(yīng)節(jié)點(diǎn)并且布置在該真空室內(nèi)，該襯底固持器被配置為支撐要通過該等離子體加工的襯底，其中，第二BP脈沖序列被配置為使該等離子體的離子朝該襯底加速。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該第一SP脈沖和該BP脈沖在時(shí)間上至少部分地不重疊。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該耦合電極是諧振耦合電極。
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