[發明專利]晶體管陣列

在審

• 申請號: 201980043952.2
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN112335048A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: J·索卡特斯;H·萬德克邱武
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L51/10;H01L27/28
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種制造器件的方法，該器件包括限定晶體管陣列的各層的堆疊并且包含在各層級之間的一個或多個導電連接，其中所述方法包括：形成源極-漏極導體圖案，該源極-漏極導體圖案限定源極導體陣列和漏極導體陣列，每個源極導體為晶體管陣列的相應晶體管集合提供尋址線，并且每個漏極導體與晶體管陣列的相應晶體管相關聯；其中形成所述源極-漏極導體圖案包括：

形成第一導體子圖案，該第一導體子圖案至少在尋址線的區域中包括導體材料，并且至少在其中源極和漏極導體最接近的區域中提供源極-漏極導體圖案的導電表面；

在源極導體和漏極導體最接近的區域中掩蔽第一導體子圖案；

此后形成第二導體子圖案，該第二導體子圖案至少在尋址線的區域中也包括導體材料，并且在其中要形成與源極-漏極導體圖案的導電層間連接的一個或多個互連區域中提供源極-漏極導體圖案的導電表面；

此后在源極導體和漏極導體最接近的區域中對第一導體子圖案去掩蔽；以及

在源極-漏極導體圖案上方原位對半導體溝道材料層構圖。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述一個或多個互連區域中的源極-漏極導體圖案上方形成一層或多層，以及對所述一層或多層構圖以在所述一個或多個互連區域中暴露所述源極-漏極導體圖案；并且其中第一導體子圖案的材料在暴露于進行所述一層或多層的所述構圖的條件下時表現出比第二導體子圖案的材料更高的電導率降低。

3.根據權利要求2所述的方法，其中第二導體子圖案的材料在暴露于進行所述一層或多層的所述構圖的條件下時基本上不表現出電導率降低。

4.根據權利要求2或權利要求3所述的方法，其中所述條件包括從包含氧的氣體產生的等離子體。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中所述第二導體子圖案至少在半導體溝道材料被保留的區域之外的其中第一導體圖案包括導體材料的所有區域中包括導體材料。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中：掩蔽第一導體子圖案包括：在第一導體子圖案上原位對抗蝕劑層構圖以在區域陣列中形成抗蝕劑島陣列，并且其中對半導體溝道材料層構圖包括：形成半導體溝道材料陣列，每個半導體溝道島基本上以所述區域陣列的相應區域為中心，并且包括相應抗蝕劑島的形狀的放大版本。

7.根據權利要求1至5中的任一項所述的方法，其中：掩蔽第一導體子圖案包括：在第一導體子圖案上原位對抗蝕劑層構圖，并且其中該方法還包括：使用相同的光掩模來對所述抗蝕劑層構圖和對半導體溝道材料層構圖。