[發(fā)明專利]發(fā)光器件、相關(guān)的顯示屏以及制造發(fā)光器件的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980043400.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112470280A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張櫻藍(lán);希爾維亞·斯卡林蓋拉;伊萬-克里斯多夫·羅賓;阿布德海·阿波萊奇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 艾利迪公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 程鋼 |
| 地址: | 法國(guó)格*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 相關(guān) 顯示屏 以及 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件(15),包括:
第一發(fā)光器(40A),適于發(fā)出第一輻射,以及
第二發(fā)光器(40B),適于發(fā)出第二輻射,所述第二輻射不同于所述第一輻射,
所述第一發(fā)光器(40A)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第一輻射轉(zhuǎn)換器(80),所述第二發(fā)光器(40B)包括第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二輻射轉(zhuǎn)換器(80),每個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括適于發(fā)出不同于所述第一輻射和所述第二輻射的第三輻射的半導(dǎo)體層,每個(gè)輻射轉(zhuǎn)換器(80)包括一組顆粒(P),每個(gè)顆粒(P)能夠?qū)⑺龅谌椛滢D(zhuǎn)換為由相應(yīng)的發(fā)光器(40A,40B)發(fā)出的所述第一輻射或第二輻射,
所述第一輻射轉(zhuǎn)換器(80)的顆粒(P)通過大量的光敏樹脂附著到所述第一發(fā)光器(40A)的表面,例如附著到所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面,并且所述第二輻射轉(zhuǎn)換器(80)的顆粒(P)通過接枝附著到所述第二發(fā)光器(40B)的表面,例如附著到所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述第二輻射轉(zhuǎn)換器(80)包括顆粒(P)的至少一個(gè)層(82)和有機(jī)分子(M)的至少一個(gè)接枝層(83)的堆疊,所述顆粒(P)的層(82)通過所述接枝層(83)附著到所述第二發(fā)光器(40B)的表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,所述第二輻射的平均波長(zhǎng)嚴(yán)格低于所述第一輻射的平均波長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件,還包括至少一個(gè)第三發(fā)光器(30),所述第三發(fā)光器(30)適于發(fā)出第四輻射,所述第四輻射不同于所述第一輻射和所述第二輻射,所述第三發(fā)光器(30)包括至少一個(gè)第三半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),所述第三半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第三半導(dǎo)體層,所述第三半導(dǎo)體層適于發(fā)出所述第四輻射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件,還包括至少一個(gè)第四發(fā)光器(40C),所述第四發(fā)光器(40C)適于發(fā)出第五輻射,所述第五輻射不同于所述第一輻射和所述第二輻射,
所述第四發(fā)光器(40C)包括第四半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(57)和第四輻射轉(zhuǎn)換器(80),所述第四半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(57)包括適于發(fā)出第三輻射的半導(dǎo)體層,所述第三輻射不同于所述第五輻射,所述第四發(fā)光器(40C)的所述輻射轉(zhuǎn)換器(80)包括一組顆粒(P),每個(gè)顆粒(P)能夠?qū)⑺龅谌椛滢D(zhuǎn)換成所述第五輻射。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件,還包括至少一個(gè)壁(95),所述至少一個(gè)壁(95)能夠防止一個(gè)發(fā)光器(30,35,40A,40B,40C)發(fā)出的輻射到達(dá)另一發(fā)光器(30,35,40A,40B,40C)。
7.一種用于制造發(fā)光器件(10)的方法,所述發(fā)光器件(10)包括:
第一發(fā)光器(40A),適于發(fā)出第一輻射,以及
第二發(fā)光器(40B),適于發(fā)出第二輻射,所述第二輻射不同于所述第一輻射,
所述方法包括以下步驟:
制造(100)至少一個(gè)第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層,所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第二半導(dǎo)體層,所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層均適于發(fā)出與所述第一輻射和所述第二輻射不同的第三輻射,
將包括能夠?qū)⑺龅谝话雽?dǎo)體層的所述第三輻射轉(zhuǎn)換成所述第一輻射的顆粒(P)的大量光敏樹脂定位(150)在所述第一發(fā)光器(40A)的表面上,
將接枝層沉積(160)在所述第二發(fā)光器(40B)的表面上,以及
將能夠使所述第二半導(dǎo)體層的所述第三輻射轉(zhuǎn)換成所述第二輻射的顆粒(P)的層沉積在所述接枝層上,每個(gè)顆粒(P)通過所述接枝層附著到所述第二發(fā)光器(40B)的表面上。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





