[發明專利]結晶性氧化物膜在審
| 申請號： | 201980043074.4 | 申請日： | 2019-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN112334606A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 高橋勛;四戶孝 | 申請（專利權）人： | 株式會社FLOSFIA |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C01G15/00;C01G55/00;C23C16/40;C30B25/18;H01L21/365;H01L21/368 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁興利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結晶 氧化物 | ||
1.一種結晶性氧化物膜，其特征在于，包括剛玉結構的橫向生長區域，所述橫向生長區域實質上不包含小面生長區域。
2.一種結晶性氧化物膜，其特征在于，包括剛玉結構的橫向生長區域，所述橫向生長區域的晶體生長方向為c軸或大致c軸方向。
3.根據權利要求1或2所述的結晶性氧化物膜，其中，所述橫向生長區域實質上不包括位移線。
4.一種結晶性氧化物膜，其特征在于，包括剛玉結構的橫向生長區域，在所述橫向生長區域的一部分或全部中，晶體生長已在c軸或大致c軸方向上擴展的結晶性氧化物彼此相互接合。
5.一種結晶性氧化物膜，其特征在于，包括剛玉結構的橫向生長區域，在所述橫向生長區域的一部分或全部中，晶體生長已在c軸或大致c軸方向上分別以不同的晶體生長速度擴展的結晶性氧化物彼此相互接合。
6.一種結晶性氧化物膜，其特征在于，其為包括剛玉結構的外延層的結晶性氧化物半導體膜，其為晶體生長已在c軸或大致c軸方向上擴展的結晶性氧化物彼此的接合面上的外延層。
7.一種結晶性氧化物膜，其特征在于，其為包括剛玉結構的外延層的結晶性氧化物半導體膜，其為晶體生長已在c軸或大致c軸方向上分別以不同的晶體生長速度擴展的結晶性氧化物彼此的接合面上的外延層。
8.根據權利要求1～7中任一項所述的結晶性氧化物膜，其中，至少包括元素周期表第4周期～第6周期的一種或兩種以上的金屬。
9.根據權利要求1～8中任一項所述的結晶性氧化物膜，其中，至少包括鎵、銦、銠或銥。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的結晶性氧化物膜，其中，包括α-Ga2O3或其混晶作為主要成分。
11.一種半導體裝置，其中，包括權利要求1～10中任一項所述的結晶性氧化物膜。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述結晶性氧化物膜為包括摻雜劑的半導體膜。
13.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其中，其為功率器件。
14.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其中，其為功率模塊、逆變器或轉換器。
15.一種半導體系統，具備半導體裝置，其中，所述半導體裝置為權利要求11～14中任一項所述的半導體裝置。
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