[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201980042911.1
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN112385021A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 肥塚純一;神長正美;井口貴弘;中澤安孝
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

形成半導體層；

在所述半導體層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成金屬氧化物層；

在所述金屬氧化物層上形成與所述半導體層的一部分重疊的柵電極；以及

在對所述半導體層中的不與所述柵電極重疊的區域通過所述金屬氧化物層及所述柵極絕緣層供應第一元素，

其中，所述第一元素為磷、硼、鎂、鋁或硅。

2.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

形成半導體層；

在所述半導體層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成金屬氧化物層；

在所述金屬氧化物層上形成與所述半導體層的一部分重疊的柵電極；以及

在對所述半導體層中的不與所述柵電極重疊的區域通過所述金屬氧化物層及所述柵極絕緣層供應第一元素，

其中，在對所述半導體層供應所述第一元素之后將所述金屬氧化物層加工為島狀，

并且，所述第一元素為磷、硼、鎂、鋁或硅。

3.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

形成半導體層；

在所述半導體層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成金屬氧化物層；

在所述金屬氧化物層上形成與所述半導體層的一部分重疊的柵電極；

對所述半導體層中的不與所述柵電極重疊的區域通過所述金屬氧化物層及所述柵極絕緣層供應第一元素；

對所述金屬氧化物層中的不與所述柵電極重疊的區域通過所述柵極絕緣層供應第二元素；以及

在對所述金屬氧化物層供應所述第二元素之后將所述金屬氧化物層加工為島狀

其中，所述第一元素為磷、硼、鎂、鋁或硅，

并且，所述第二元素為硅、磷、氬、氪、氙、砷、鎵或鍺。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，

其中在對所述半導體層供應所述第一元素之后對所述金屬氧化物層供應所述第二元素。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，

其中在對所述金屬氧化物層供應所述第二元素之后對所述半導體層供應所述第一元素。

6.根據權利要求2至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，

其中通過濕蝕刻將所述金屬氧化物層加工為島狀。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述金屬氧化物層包括氧化鋁膜。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述金屬氧化物層及所述半導體層包括同一金屬氧化物。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置的制造方法，

其中在形成所述金屬氧化物層之后，在形成所述柵電極之前進行第一加熱處理，

在對所述半導體層供應所述第一元素之后進行第二加熱處理，

并且以低于所述第一加熱處理的溫度進行所述第二加熱處理。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述半導體層包括金屬氧化物。