[發(fā)明專利]包含與縮水甘油基酯化合物的反應(yīng)生成物的抗蝕劑下層膜形成用組合物

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980042837.3
• 申請(qǐng)日: 2019-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN112313226A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遠(yuǎn)藤貴文;后藤裕一;遠(yuǎn)藤雅久;上林哲;遠(yuǎn)藤勇樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C07D405/14
• 分類號(hào): C07D405/14;C08G59/20;G03F7/11;G03F7/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 孫麗梅;段承恩

1.下述式(1)所示的化合物，

在式(1)中，X為下述式(2)、式(3)或式(4)所示的2價(jià)有機(jī)基，n₁、n₂各自獨(dú)立地表示1～10的整數(shù)；

在式(2)、式(3)和式(4)中，

R¹和R²各自獨(dú)立地表示氫原子、可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)1～10的烷基、可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)2～10的烯基、可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)2～10的炔基、芐基或苯基，所述苯基可以被選自碳原子數(shù)1～6的烷基、鹵原子、原子數(shù)1～10的烷氧基、硝基、氰基和碳原子數(shù)1～6的烷硫基中的至少1個(gè)1價(jià)官能團(tuán)取代；

R³表示氫原子、可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)1～10的烷基、可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)3～10的烯基、可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數(shù)3～10的炔基、芐基或苯基，所述苯基可以被選自碳原子數(shù)1～6的烷基、鹵原子、碳原子數(shù)1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數(shù)1～6的烷硫基和下述式(5)所示的有機(jī)基中的至少1個(gè)1價(jià)官能團(tuán)取代；

在式(5)中，n₃表示1～10的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，在所述式(1)中，X由式(4)表示。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物，在所述式(1)中，n₁和n₂為1，R³由可以被氧原子中斷的碳原子數(shù)1～5的烷基或式(5)表示。

4.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：

通過權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的化合物、與環(huán)氧加成物形成用化合物的反應(yīng)而獲得的環(huán)氧加成生成物；以及

溶劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述環(huán)氧加成物形成用化合物為選自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羥基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亞胺基的化合物中的至少1種化合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述環(huán)氧加成物形成用化合物為含有羧酸的化合物或含有硫醇基的化合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述含有羧酸的化合物為包含至少1個(gè)以上硫原子的二羧酸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述包含至少1個(gè)以上硫原子的二羧酸為脂肪族二羧酸。

9.根據(jù)權(quán)利要求4～8中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含交聯(lián)催化劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求4～9中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含交聯(lián)劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求4～10中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含表面活性劑。

12.一種抗蝕劑下層膜，其特征在于，為由權(quán)利要求4～11中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物形成的涂布膜的燒成物。

13.一種進(jìn)行了圖案形成的基板的制造方法，其包含下述工序：在半導(dǎo)體基板上涂布權(quán)利要求4～11中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物進(jìn)行烘烤而形成抗蝕劑下層膜的工序；在所述抗蝕劑下層膜上涂布抗蝕劑進(jìn)行烘烤而形成抗蝕劑膜的工序；將被所述抗蝕劑下層膜和所述抗蝕劑被覆了的半導(dǎo)體基板曝光的工序；將曝光后的所述抗蝕劑膜顯影，進(jìn)行圖案形成的工序。

14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包含下述工序：

在半導(dǎo)體基板上形成由權(quán)利要求4～11中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物形成的抗蝕劑下層膜的工序；

在所述抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑膜的工序；

通過對(duì)抗蝕劑膜照射光或電子射線然后顯影而形成抗蝕劑圖案的工序；

通過經(jīng)由所形成的所述抗蝕劑圖案對(duì)所述抗蝕劑下層膜進(jìn)行蝕刻而形成被圖案化了的抗蝕劑下層膜的工序；以及

通過被圖案化了的所述抗蝕劑下層膜對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行加工的工序。