[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工用粘著膠帶及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980042664.5
• 申請日: 2019-06-04
• 公開（公告）號: CN112400216A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 愛澤和人;前田淳
• 申請（專利權(quán)）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/38;C09J201/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;敖蓮

本發(fā)明的技術(shù)問題在于提供一種即便使用于DBG或LDBG，也能夠抑制芯片龜裂的半導(dǎo)體加工用粘著膠帶。作為解決手段的所述半導(dǎo)體加工用粘著膠帶為具有基材、設(shè)置在該基材的至少一面?zhèn)鹊木彌_層、及設(shè)置在該基材的另一面?zhèn)鹊恼持鴦拥恼持z帶，所述半導(dǎo)體加工用粘著膠帶中，所述緩沖層在23℃下的斷裂能為13～80MJ/m³。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工用粘著膠帶，更詳細(xì)而言，涉及一種當(dāng)使用在晶圓的表面設(shè)置溝槽或用激光在晶圓內(nèi)部設(shè)置改質(zhì)區(qū)域，并利用晶圓背面研磨時的應(yīng)力等而進(jìn)行晶圓的單顆化(singulation)的方法來制造半導(dǎo)體裝置時，優(yōu)選用于暫時保持半導(dǎo)體晶圓或芯片的粘著膠帶，以及使用該粘著膠帶的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

隨著各種電子設(shè)備的小型化、多功能化的進(jìn)展，也同樣要求其中所搭載的半導(dǎo)體芯片的小型化、薄型化。為了芯片的薄型化，通常研磨半導(dǎo)體晶圓的背面而進(jìn)行厚度調(diào)節(jié)。此外，為了得到經(jīng)薄型化的芯片，有時也會利用被稱為預(yù)切割法(DBG：Dicing BeforeGrinding；研磨前切割)的技術(shù)，該技術(shù)中，使用切割刀片從晶圓的表面?zhèn)刃纬梢欢ㄉ疃鹊臏喜?，然后從晶圓背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨，通過研磨將晶圓單顆化而得到芯片。對于DBG，由于能夠同時進(jìn)行晶圓的背面研磨與晶圓的單顆化，因此能夠效率良好地制造薄型芯片。

以往，在進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的背面研磨時或通過DBG制造芯片時，為了保護(hù)晶圓表面的電路且保持半導(dǎo)體晶圓及半導(dǎo)體芯片，通常在晶圓表面貼附被稱為背磨片的粘著膠帶。

作為在DBG中使用的背磨片，使用具備基材與設(shè)置于基材的一個面的粘著劑層的粘著膠帶。作為這樣的粘著膠帶的一個例子，專利文獻(xiàn)1(日本特開2015-183008號公報(bào))中提出了一種具有剛性基材、設(shè)置在剛性基材的一面?zhèn)鹊木彌_層、及設(shè)置在剛性基材的另一面?zhèn)鹊恼持鴦拥恼持?。專利文獻(xiàn)1中公開了剛性基材的楊氏模量為1000MPa以上，將尖端曲率半徑為100nm且棱間角為115°的三角錐形壓頭的尖端以10μm/分鐘的速度壓入緩沖層時，壓縮載荷達(dá)到2mN所需的壓入深度為2.5μm以上。此外，專利文獻(xiàn)2(日本專利第5068793號)中提出了一種在由能量射線固化型組合物固化而成的片的至少一面具有粘著劑層的粘著片。專利文獻(xiàn)2中公開了粘著片的斷裂伸長率為50％以上，且拉伸彈性模量為10～1000MPa。

近年來，作為預(yù)切割法的變形例，提出了用激光在晶圓內(nèi)部設(shè)置改質(zhì)區(qū)域，利用晶圓背面研磨時的應(yīng)力等而進(jìn)行晶圓的單顆化的方法。以下，有時將該方法記載為LDBG(Laser Dicing Before Grinding；研磨前激光切割)。對于LDBG，由于晶圓以改質(zhì)區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)而在晶體方向上被切斷，因此相較于使用切割刀片的預(yù)切割法，能夠減少碎屑(chipping)的產(chǎn)生。其結(jié)果，能夠得到抗折強(qiáng)度優(yōu)異的芯片，并有助于芯片的進(jìn)一步薄型化。此外，相較于使用切割刀片在晶圓表面形成規(guī)定深度的溝槽的DBG，由于不存在使用切割刀片削掉晶圓的區(qū)域，即由于切口寬度(kerf width)極小，因此芯片的產(chǎn)率優(yōu)異。

對于DBG和LDBG，使用研磨機(jī)等對晶圓進(jìn)行背面研磨而使厚度極薄時，若晶圓的外周有多余的粘著膠帶，則研磨機(jī)有時會咬入多余的粘著膠帶。因此，在背面研磨前沿著晶圓的外周切斷粘著膠帶。但是，若使用專利文獻(xiàn)1、2中記載的粘著膠帶，將芯片的精加工厚度薄化至30μm以下時，有時會產(chǎn)生芯片的缺損或破損(以下，有時記載為“芯片龜裂”)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-183008號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利第5068793號

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題