[發(fā)明專利]氮化硅基板及氮化硅電路基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980042187.2
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN112292912A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 青木克之;深澤孝幸;門馬旬;巖井健太郎
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝高新材料公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;C04B35/584;H01L23/13
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種氮化硅基板，其特征在于，其是具備具有氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅燒結(jié)體的氮化硅基板，其中，

所述氮化硅基板的板厚為0.4mm以下，

在所述氮化硅燒結(jié)體的任意的截面或表面的觀察區(qū)域50μm×50μm中，可見到全部輪廓的任意的50個所述氮化硅晶粒中的在內(nèi)部具有位錯缺陷部的所述氮化硅晶粒的數(shù)目的比例為0％～20％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅基板，其特征在于，所述比例為0％～10％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述位錯缺陷部中，除硅、氧及氮以外的成分未成為1μm²以上的塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求3中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述位錯缺陷部中，未檢測到10摩爾％以上的除硅、氧及氮以外的成分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求4中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，所述位錯缺陷部的占有面積率為5％以下的所述氮化硅晶粒的數(shù)目相對于具有所述位錯缺陷部的所述氮化硅晶粒的所述數(shù)目的比例為70％以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求5中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述氮化硅燒結(jié)體的任意的截面的觀察區(qū)域300μm×300μm中，所述氮化硅晶粒的長徑的最大值為60μm以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求6中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述氮化硅燒結(jié)體的任意的截面的觀察區(qū)域300μm×300μm中，所述氮化硅晶粒的長徑的平均為1μm～10μm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求7中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述氮化硅燒結(jié)體的任意的截面的觀察區(qū)域300μm×300μm中，各個所述晶界相的面積為9μm²以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求8中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，所述板厚為0.10mm～0.30mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求9中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，絕緣耐壓為25kV/mm以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求10中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，導(dǎo)熱率為80W/(m·K)以上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求11中任一項所述的氮化硅基板，其特征在于，三點彎曲強度為600MPa以上。

13.一種氮化硅電路基板，其特征在于，其具備權(quán)利要求1～權(quán)利要求12中任一項所述的氮化硅基板和設(shè)置于所述氮化硅基板之上的電路部。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的氮化硅電路基板，其特征在于，所述電路部是厚度為0.8mm以上的金屬板。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的氮化硅電路基板，其特征在于，所述電路部為通過蝕刻被加工成圖案形狀的部分。