[發(fā)明專利]成膜方法、成膜系統(tǒng)以及成膜裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980041837.1
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN112292476A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 山口克昌;前川浩治;鮫島崇;中島滋
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/06
• 分類號: C23C16/06;C23C16/455;H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種成膜方法，其特征在于，包括以下工序：

將形成有絕緣膜的基板配置于處理容器內(nèi)，在減壓氣氛下向所述處理容器內(nèi)重復供給含Ti氣體、含Al氣體以及反應氣體來形成基底膜；以及

通過金屬材料在形成有所述基底膜的所述基板形成金屬層。

2.根據(jù)權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，將以下工序至少重復一次：

將隔著吹掃工序進行的所述含Ti氣體和所述反應氣體的交替供給至少重復一次，由此形成第一基底膜；以及

將隔著吹掃工序進行的含Al氣體和所述反應氣體的交替供給至少重復一次，由此形成第二基底膜。

3.根據(jù)權利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，

在形成所述基底膜的下部的情況下，相比于形成所述第二基底膜的工序更多地執(zhí)行形成所述第一基底膜的工序，

在形成所述基底膜的上部的情況下，相比于形成所述第一基底膜的工序更多地執(zhí)行形成所述第二基底膜的工序。

4.根據(jù)權利要求2或3所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，首先執(zhí)行形成所述第一基底膜的工序。

5.根據(jù)權利要求2至4中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，最后執(zhí)行形成所述第二基底膜的工序。

6.根據(jù)權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，

在形成所述基底膜的下部的情況下，使所述含Ti氣體的供給量比所述含Al氣體的供給量多，在形成所述基底膜的上部的情況下，使所述含Ti氣體的供給量比所述含Al氣體的供給量少，并且隔著吹掃工序重復向所述處理容器內(nèi)依序供給所述含Ti氣體、所述含Al氣體以及所述反應氣體，來形成所述基底膜。

7.根據(jù)權利要求1至6中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述含Ti氣體包括TiCl₄、TDMAT、TMEAT中的任一方，

所述含Al氣體包括TMA、AlCl₃中的任一方。

8.根據(jù)權利要求1至7中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，將所述基板的溫度加熱至250℃～550℃來形成基底膜。

9.根據(jù)權利要求1至8中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

形成所述金屬層的工序包括形成金屬的初始膜的核形成工序和形成金屬的主膜的主工序。

10.根據(jù)權利要求1至9中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述金屬材料含有W、Cu、Co、Ru、Mo中的任一方。

11.根據(jù)權利要求1至10中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述反應氣體為含N氣體、稀有氣體、非活性氣體中的任一方。

12.根據(jù)權利要求1至11中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述反應氣體為NH₃氣體、肼氣體中的任一方。

13.根據(jù)權利要求1至12中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述基底膜的膜厚設為3.5nm以下。

14.根據(jù)權利要求1至13中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在所述基底膜中，Ti與Al的組成比為20～95％：5～80％。

15.根據(jù)權利要求1至14中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述基底膜為非晶膜。