[發明專利]等離子體源及其操作方法

在審

• 申請號: 201980041072.1
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN112313771A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 伊夫·洛德威克·馬里亞·克雷格托恩;安德里斯·里杰費爾斯
• 申請（專利權）人: 荷蘭應用科學研究會(TNO)
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/24;C23C16/54;C23C16/513;C23C16/455
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉彬

1.一種等離子體源(100)，包括：

-外表面(10)，包括至少一個開口(14)，用于從所述開口遞送等離子體；

-傳送機構，被配置為沿著所述外表面相對于彼此傳送襯底(11)和所述等離子體源；

-對電極，至少包括沿遠離所述襯底的方向延伸的第一面(3-1)和第二面(3-3)；

-工作電極(22)，包括多個平面狀瓦片(4-1、4-2、4-3)，其中，瓦片包括至少部分地被介電層(1-1、1-2、1-3)包圍的至少一個膜狀導電層(2-1、2-2、2-3)；

-與所述至少一個開口連通的至少兩個等離子體收集空間，其中，第一等離子體收集空間(6-1)至少部分地形成在所述對電極的第一面與所述工作電極的第一面之間，并且第二等離子體收集空間(6-3)至少部分地形成在所述對電極的第二面與所述工作電極的第二面之間；

-氣體入口(5)，用于通過所述至少兩個等離子體收集空間向所述開口提供氣體流動；

-其中，第一瓦片(4-1)和第二瓦片(4-2)布置在所述工作電極的第一平面內，其中，鄰近邊緣(12)與所述第一等離子體收集空間接界，并且第三瓦片(4-3)布置在所述工作電極的平行于所述第一平面的第二平面內，使得所述第三瓦片與所述第一平面中的所述鄰近邊緣重疊；并且

-其中，所述工作電極(22)和所述對電極中的至少一個包括所述鄰近邊緣附近的局部修改以增加到所述開口的等離子體遞送，從而補償由于所述鄰近邊緣引起的等離子體收集的損失。

2.根據權利要求1所述的等離子體源，其中，所述局部修改包括在所述第一平面中與所述鄰近邊緣并排的位置處提供給所述對電極的所述第二面的幾何修改。

3.根據權利要求2所述的等離子體源，其中，所述幾何修改包括設置在所述第二面中的所述位置處的凹槽(13)，以增加經由所述凹槽下游的所述第二等離子體收集空間的氣體流速。

4.根據權利要求3所述的等離子體源，進一步包括設置在所述第一等離子體收集空間中與所述鄰近邊緣并排的部分收縮部(15)，從而減少所述鄰近邊緣下游的位置處的所述第一等離子體收集空間中的所述氣體流動。

5.根據權利要求4所述的等離子體源，其中，所述部分收縮部包括脊(15)，所述脊設置在所述對電極的所述第一面中與所述鄰近邊緣并排的位置處。

6.根據權利要求1所述的等離子體源，其中，所述局部修改包括設置在所述瓦片中的多個膜狀導電層(2-1a、2-3a)，所述多個膜狀導電層至少部分地由面向所述襯底的介電阻擋層包圍，其中，膜狀層具有沿著所述開口的長度的邊緣，以形成跨所述開口的寬度的平行邊緣的圖案。

7.根據權利要求6所述的等離子體源，其中，所述圖案具有跨所述開口的寬度，所述寬度朝向與相鄰邊緣成直線的位置逐漸增大。

8.根據權利要求1所述的等離子體源，其中，所述局部修改包括提供給與相鄰邊緣重疊的瓦片的所述膜狀導電層的延伸，所述延伸部分地跨所述開口的寬度定向。

9.根據權利要求8所述的等離子體源，其中，所述延伸的長度朝向與相鄰邊緣成直線的位置逐漸增大。

10.根據權利要求1所述的等離子體源，其中，所述幾何修改包括在所述第二平面中與所述鄰近邊緣并排的位置處所述介電阻擋層至瓦片的減小的厚度，以便局部地增大電場強度。

11.根據前述權利要求中任一項所述的等離子體源，其中，所述瓦片進一步包括與所述膜狀導電層電連接的外部導電接觸區域(7-1、7-3)，并且其中，所述瓦片布置為疊層，使得第一文件的接觸區域與相對瓦片的接觸區域導電接觸，從而使得所述瓦片中的所述膜狀導電層共享有效相同的電勢。

12.根據權利要求11的裝置，其中，導電連接由導電通孔提供。