[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980040521.0
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN112368845A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤岡知惠;吉田弘;松島芳宏;水原秀樹;浜崎正生;坂本光章
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技日本株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 安香子

半導(dǎo)體裝置(1)具有：半導(dǎo)體層(40)，具有主面(40a及40b)；金屬層(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)與主面(40b)接觸，比半導(dǎo)體層(40)厚，由第1金屬材料構(gòu)成；金屬層(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)與主面(31b)接觸，比半導(dǎo)體層(40)厚，由楊氏模量比第1金屬材料大的金屬材料構(gòu)成；以及晶體管(10及20)；晶體管(10)在半導(dǎo)體層(40)的主面(40a)側(cè)具有源極電極(11)及柵極電極(19)；晶體管(20)在半導(dǎo)體層(40)的主面(40a)側(cè)具有源極電極(21)及柵極電極(29)，將從源極電極(11)經(jīng)由金屬層(31)到源極電極(21)的雙向路徑作為主電流路徑。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別涉及能夠進(jìn)行倒裝的芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

以往，提出了一種半導(dǎo)體裝置，具備：具有第1主面及第2主面的半導(dǎo)體層、跨從該第1主面到該第2主面而設(shè)置的2個(gè)縱型場效應(yīng)晶體管和形成在該第2主面上的金屬層。在該結(jié)構(gòu)中，作為從第1晶體管向第2晶體管流動的電流路徑，不僅使用半導(dǎo)體基板內(nèi)部的水平方向路徑，還能夠使用導(dǎo)通電阻低的金屬層中的水平方向路徑，所以能夠降低半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通電阻。

在專利文獻(xiàn)1中，提出了除了上述結(jié)構(gòu)以外、還在金屬層的與半導(dǎo)體基板相反側(cè)形成有導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置。通過該導(dǎo)電層，在將芯片單片化的工序中能夠抑制金屬層的毛刺的發(fā)生。

此外，在專利文獻(xiàn)2中，提出了除了上述結(jié)構(gòu)以外、還在金屬層的與半導(dǎo)體基板相反側(cè)形成有絕緣覆膜的半導(dǎo)體裝置。通過該絕緣覆膜，能夠維持半導(dǎo)體裝置的薄型化，并且能夠防止傷痕或缺陷等破損。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2016－86006號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2012－182238號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

但是，在專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所公開的半導(dǎo)體裝置中，金屬層的熱膨脹系數(shù)比半導(dǎo)體基板的熱膨脹系數(shù)大，所以發(fā)生因溫度變化帶來的半導(dǎo)體裝置的翹曲。

在專利文獻(xiàn)1中，在金屬層的與半導(dǎo)體基板相反側(cè)形成有導(dǎo)電層，但導(dǎo)電層的主材料是與金屬層相同種類的金屬，所以形成足夠減輕因溫度變化帶來的半導(dǎo)體裝置的翹曲的厚度的導(dǎo)電層在制造方面并不容易。

在專利文獻(xiàn)2中，在金屬層的與半導(dǎo)體基板相反側(cè)形成有用來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的薄型化及破損的防止的絕緣覆膜，但在金屬層的厚度是為了確保低導(dǎo)通電阻而需要的厚度的情況下，在絕緣覆膜中不發(fā)生足夠減輕半導(dǎo)體裝置的翹曲的應(yīng)力。

即，在專利文獻(xiàn)1及2所公開的半導(dǎo)體裝置中，不能兼顧導(dǎo)通電阻的降低和半導(dǎo)體裝置的翹曲的抑制。

所以，本發(fā)明的目的是提供兼顧了導(dǎo)通電阻的降低和翹曲的抑制的芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置。

用來解決課題的手段