[發明專利]消泡劑活性物質、其制造方法和消泡制劑有效
| 申請號: | 201980039999.1 | 申請日: | 2019-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN112638490B | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發明(設計)人: | 谷峰 | 申請(專利權)人: | 格雷斯公司 |
| 主分類號: | B01D19/02 | 分類號: | B01D19/02;B01D19/04;C01B33/12;C01B33/14;C01B33/149;C09C1/28;B02C19/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 韋欣華;楊戩 |
| 地址: | 美國馬里蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 消泡劑 活性 物質 制造 方法 泡制 | ||
1.一種消泡劑活性物質,包含:
具有不超過3%的碳含量的疏水化二氧化硅顆粒,
其中所述疏水化二氧化硅顆粒包含具有小于60m2/g的BET表面積、至少10的表面pH和在2μm至50μm范圍內的中值粒度的二氧化硅顆粒,并且
其中所述疏水化二氧化硅顆粒在其表面上包含疏水化劑,
其中所述疏水化劑為聚二甲基硅氧烷,其中所述聚二甲基硅氧烷具有至少3,000Da的平均摩爾質量,
或者所述疏水化劑為硅烷醇封端的聚二甲基硅氧烷,其中所述硅烷醇封端的聚二甲基硅氧烷具有至少3,000Da的平均摩爾質量和至少3600厘泊的粘度,并且
其中至少90重量%的所述疏水化劑共價鍵合到所述二氧化硅顆粒。
2.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中所述疏水化二氧化硅顆粒的所述碳含量不超過2.0%。
3.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中所述疏水化二氧化硅顆粒的所述中值粒度在2μm至15μm的范圍內。
4.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中所述聚二甲基硅氧烷具有至少5,000Da的平均摩爾質量。
5.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中所述硅烷醇封端的聚二甲基硅氧烷具有至少0.10重量%的羥基基團含量。
6.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中至少95重量%的所述疏水化劑共價鍵合到所述二氧化硅顆粒。
7.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中所述疏水化二氧化硅顆粒具有至少2的疏水性評級,如根據可漂浮性方法在體積比為60%:40%的甲醇和水的混合溶劑中所測量的。
8.根據權利要求1所述的消泡劑活性物質,其中基于所述疏水化二氧化硅顆粒的總重量,所述疏水化劑的量不超過8重量%。
9.根據權利要求8所述的消泡劑活性物質,其中基于所述疏水化二氧化硅顆粒的總重量,所述疏水化劑的量不超過6重量%。
10.一種消泡制劑,包含根據權利要求1所述的消泡劑活性物質。
11.一種涂料制劑,包含根據權利要求10所述的消泡制劑。
12.一種形成消泡劑活性物質的方法,包括:
使用螺旋噴磨機或流能磨將二氧化硅顆粒與疏水化劑碾磨并鍵合以獲得疏水化二氧化硅顆粒,
其中所述二氧化硅顆粒具有小于60m2/g的BET表面積、至少10的表面pH和在2μm至50μm范圍內的中值粒度,
其中基于所述疏水化二氧化硅顆粒的總重量,所述疏水化劑的量不超過8重量%,
其中所述疏水化二氧化硅顆粒的碳含量不超過3%,
其中所述疏水化劑為聚二甲基硅氧烷,其中所述聚二甲基硅氧烷具有至少3,000Da的平均摩爾質量,
或者所述疏水化劑為硅烷醇封端的聚二甲基硅氧烷,其中所述硅烷醇封端的聚二甲基硅氧烷具有至少3,000Da的平均摩爾質量和至少3600厘泊的粘度,并且
其中至少90重量%的所述疏水化劑共價鍵合到所述二氧化硅顆粒。
13.根據權利要求12所述的形成消泡劑活性物質的方法,其中使用所述螺旋噴磨機或所述流能磨將所述二氧化硅顆粒與所述疏水化劑碾磨并鍵合以獲得所述疏水化二氧化硅顆粒包括:
將所述二氧化硅顆粒和所述疏水化劑添加到所述螺旋噴磨機或所述流能磨中;以及
在所述螺旋噴磨機或所述流能磨中將所述二氧化硅顆粒和所述疏水化劑碾磨并加熱以形成所述疏水化二氧化硅顆粒。
14.根據權利要求12所述的形成消泡劑活性物質的方法,其中基于所述疏水化二氧化硅顆粒的總重量,所述疏水化劑的量不超過6重量%。
15.根據權利要求12所述的形成消泡劑活性物質的方法,其中
(b)所述消泡劑活性物質具有至少2的疏水性評級,如根據可漂浮性方法在體積比為60%:40%的甲醇和水的混合溶劑中所測量的,或者
(c)所述疏水化二氧化硅顆粒具有在2μm至15μm范圍內的中值粒度,或者
(d)所述疏水化二氧化硅顆粒上的所述疏水化劑的總量的不超過10重量%未鍵合并且物理吸附在所述二氧化硅顆粒上。
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