[發(fā)明專利]通過鋅摻雜增強金屬襯里的鈍化和粘附在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980038040.6 | 申請日: | 2019-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN112236845A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 耶迪·N·道爾迪;安魯達哈·喬伊;史蒂文·詹姆斯·馬德森;德賴斯·狄克特斯 | 申請(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/285 | 分類號: | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 李獻忠;張靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通過 摻雜 增強 金屬 襯里 鈍化 粘附 | ||
1.一種方法,其包括:
在電介質(zhì)層上沉積阻擋層,以防止由于所述電介質(zhì)層中存在氧化物而導(dǎo)致待通過電鍍而沉積的金屬層氧化;以及
在所述阻擋層上沉積襯里層,以與待通過所述電鍍而沉積在所述襯里層上的所述金屬層結(jié)合,其中所述襯里層摻雜有摻雜劑,
其中,當(dāng)在所述電鍍之前,所述襯里層的表面暴露于空氣時,所述摻雜劑在所述表面上形成鈍化層,所述金屬層將在所述表面上沉積,
其中,當(dāng)在所述電鍍之前將所述襯里層暴露于空氣時,所述鈍化層進一步防止所述襯里層的氧化,
其中,所述鈍化層在所述電鍍期間溶解,使得通過所述電鍍沉積在所述襯里層上的所述金屬層與所述襯里層結(jié)合,
其中,所述摻雜劑與所述電介質(zhì)層反應(yīng)并且在所述阻擋層與所述電介質(zhì)層之間形成化合物層,
其中所述化合物層防止由于所述電介質(zhì)層中存在的所述氧化物而導(dǎo)致的所述阻擋層和所述襯里層的氧化,以及
其中,所述化合物層將所述阻擋層粘附到所述電介質(zhì)層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其還包括:在所述襯里層上電鍍所述金屬層,以及在所述金屬層上進行化學(xué)機械平坦化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其還包括在所述金屬層上執(zhí)行化學(xué)機械平坦化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述摻雜劑包括比用于形成所述襯里層和所述金屬層的元素有更強負電性的元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其還包括在所述阻擋層上共沉積所述襯里層和所述摻雜劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其還包含在所述襯里層上沉積所述摻雜劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述電介質(zhì)層包括具有低介電常數(shù)的材料,所述化合物包括由所述材料和所述摻雜劑的組合形成的物質(zhì),并且所述鈍化層包括所述摻雜劑的氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述電介質(zhì)層包括SiO2,所述化合物包括由SiO2和所述摻雜劑的組合形成的物質(zhì),并且所述鈍化層包括所述摻雜劑的氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其還包括:
使用TaN形成所述阻擋層;
使用Ru、Co或Mo形成所述襯里層;
使用Zn、Mn、In、Sn或Al摻雜所述襯里層;以及
使用Cu形成所述金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其還包括在所述電鍍之前對所述襯里層、所述阻擋層和所述電介質(zhì)層執(zhí)行熱處理。
11.一種方法,其包括:
提供電介質(zhì)層;以及
在所述電介質(zhì)層上沉積襯里層,以與待通過電鍍而沉積在所述襯里層上的金屬層結(jié)合,其中所述襯里層摻雜有摻雜劑,
其中,當(dāng)在所述電鍍之前所述襯里層暴露于空氣時,所述摻雜劑在所述襯里層的表面上形成鈍化層,所述金屬層將在所述表面上沉積,
其中,所述鈍化層進一步防止由于在所述電鍍之前所述襯里層暴露于空氣時而導(dǎo)致的所述襯里層的氧化,
其中,所述鈍化層在所述電鍍期間溶解,使得通過所述電鍍沉積在所述襯里層上的所述金屬層與所述襯里層結(jié)合,
其中,所述摻雜劑與所述電介質(zhì)層反應(yīng)并且在所述襯里層與所述電介質(zhì)層之間形成化合物層,
其中所述化合物層防止由于所述電介質(zhì)層中存在的氧化物而導(dǎo)致的所述襯里層和所述金屬層的氧化,以及
其中,所述化合物層將所述襯里層粘附到所述電介質(zhì)層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其還包括:在所述襯里層上電鍍所述金屬層,以及在所述金屬層上進行化學(xué)機械平坦化。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其還包括在所述金屬層上執(zhí)行化學(xué)機械平坦化。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于朗姆研究公司,未經(jīng)朗姆研究公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980038040.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:P2P架構(gòu)中的安全交易系統(tǒng)
- 下一篇:輪胎信息獲取裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





