[發明專利]切割膜基材用樹脂組合物、切割膜基材及切割膜

有效

• 申請號: 201980037899.5
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN112236469B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 中野重則;佐久間雅巳;高岡博樹
• 申請（專利權）人: 三井—陶氏聚合化學株式會社
• 主分類號: C08L23/04
• 分類號: C08L23/04;C08L23/08;C08L33/02;C09J7/24;H01L21/301
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 焦成美

本發明提供用于制造同時實現了高強度和高熱收縮性的切割膜的切割膜基材用樹脂組合物。切割膜基材用樹脂組合物、及使用了該樹脂組合物的切割膜用基材及切割膜，所述切割膜基材用樹脂組合物含有：30質量份以上90質量份以下的乙烯·不飽和羧酸·不飽和羧酸酯共聚物的離子交聯聚合物(A)、和10質量份以上70質量份以下的乙烯系共聚物(B)(其中，將成分(A)和成分(B)的總和作為100質量份)，所述切割膜基材用樹脂組合物的由JISK7206?1999規定的維卡軟化點低于50℃。

技術領域

本發明涉及切割膜基材用樹脂組合物、以及使用了其的切割膜基材及切割膜。

背景技術

在IC等半導體裝置的制造過程中，通常，在將形成了電路圖案的半導體晶圓薄膜化后，進行用于將半導體晶圓分割成芯片單元的切割工序。切割工序中，在半導體晶圓的背面貼合具有伸縮性的晶圓加工用膜(稱為切割膜或切割膠帶)，然后，通過切割刀片、激光等將半導體晶圓分割成芯片單元。然后，在后續的擴張工序(也稱為擴展工序)中，通過將與已切斷的晶圓對應的切割膠帶擴張，從而將芯片小片化。

擴展工序中，例如，通過將在切割膜之下設置的擴張臺上推，從而將切割膜擴張(擴展)。此時，為了將芯片分割，使切割膜在擴張臺的整個面上均勻地擴張是重要的。另外，切割膜在擴張臺的周緣部所承受的應力大于在擴張臺的中心部所承受的應力，因此，擴張工序后的切割膜的在與擴張臺周緣部對應的部分發生松弛。這樣的松弛可導致經分割的芯片的間隔變得不均勻，進而成為后續工序中制品不良的原因。

作為消除切割膜的松弛的手段，通過向松弛的部分吹送實際溫度約80～100℃的熱風而將膜加熱從而使膜收縮、恢復至原本狀態的熱收縮工序是已知的(例如，參見專利文獻1)。為了實施該工序，切割膜需要于80℃左右的溫度具有高熱收縮性。

另外，近年來關注的切割方法有Stealth?Dicing(注冊商標)法(隱形切割法)。該方法中，通過激光在晶圓內部而非表面形成龜裂，在于低溫(約-15℃～0℃)實施的后續的擴張工序中，利用切割膜的應力，將晶圓分割。通過上述方式，能抑制切割工序中的半導體制品的損傷，能提高收率。作為此處使用的切割膜，要求同時實現能耐受晶圓分割所需應力的強度、和用于在熱收縮工序中消除在晶圓分割時可能發生的松弛的熱收縮性。

作為用于切割膜的切割膜用基材，具有通過陽離子將具有羧基的化合物交聯而成的離子交聯聚合物、和含辛烯的共聚物的切割膜基材(專利文獻2)、具有通過由JIS?K7206規定的維卡軟化點為80℃以上的熱塑性樹脂形成的最下層、和通過由JIS?K7206規定的維卡軟化點為50℃以上且低于80℃的熱塑性樹脂形成的其他層的切割膜基材(專利文獻3)、及通過由JIS?K7206規定的維卡軟化點為50℃以上且低于90℃的熱塑性樹脂形成的切割膜基材(專利文獻4)是已知的。

另外，專利文獻5中，作為適合于Stealth?Dicing(注冊商標)的、擴張性優異的切割膜，公開了下述切割膜：-10℃時的初始彈性模量為200MPa以上380MPa以下，Tanδ(損耗模量/儲能模量)為0.080以上0.3以下。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平9-007976公報

專利文獻2：日本特開2000-345129號公報

專利文獻3：日本特開2009-231700號公報

專利文獻4：日本特開2011-216508號公報

專利文獻5：日本特開2015-185591號公報

發明內容

發明所要解決的課題