[發明專利]光接收裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201980037600.6 | 申請日: | 2019-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN112236871A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 中島史人;山田友輝;名田允洋 | 申請(專利權)人: | 日本電信電話株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0232 | 分類號: | H01L31/0232 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 莊錦軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接收 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種光接收裝置,包括:
波導型的半導體光放大器,形成在第一襯底的主表面上,并且在與所述主表面平行的方向上引導波;
第一反射部,由所述半導體光放大器的一端的端面形成,所述一端的端面被形成為相對于所述第一襯底的所述主表面傾斜,使得輸入到所述第一襯底的背面的輸入光被輸入;
第二反射部,由所述半導體光放大器的另一端的端面形成,所述另一端的端面被形成為相對于所述第一襯底的所述主表面傾斜,使得輸出光朝所述第一襯底的背面輸出;
第二襯底,所述第二襯底的背面結合到所述第一襯底的背面;以及
平面型的光電二極管,形成在所述第二襯底的主表面上的、所述光電二極管能夠接收從所述第二反射部輸出的輸出光的位置處。
2.根據權利要求1所述的光接收裝置,還包括:
第一聚光透鏡,形成在輸入到所述第一反射部的輸入光的光路上的、所述第一襯底的背面或所述第二襯底的背面上;以及
第二聚光透鏡,形成在從所述第二反射部輸出并輸入到所述光電二極管的輸出光的光路上的、所述第一襯底的背面或所述第二襯底的背面上。
3.一種光接收裝置的制造方法,包括:
第一步驟,在第一襯底的主表面上形成波導型的半導體光放大器,所述波導型的半導體光放大器在與所述主表面平行的方向上引導波;
第二步驟,在第二襯底的主表面上形成平面型的光電二極管;以及
第三步驟,將所述第一襯底的背面與所述第二襯底的背面彼此結合,
其中,由所述半導體光放大器的一端的端面形成第一反射部,所述一端的端面被形成為相對于所述第一襯底的主表面傾斜,使得輸入到所述第一襯底的背面的輸入光被輸入,
由所述半導體光放大器的另一端的端面形成第二反射部,所述另一端的端面被形成為相對于所述第一襯底的主表面傾斜,使得輸出光朝所述第一襯底的背面輸出,以及
在所述第二襯底的主表面上的、所述光電二極管能夠接收從所述第二反射部輸出的輸出光的位置處形成所述光電二極管。
4.根據權利要求3所述的光接收裝置的制造方法,還包括:
第四步驟,在輸入到所述第一反射部的輸入光的光路上的、所述第一襯底的背面或所述第二襯底的背面上形成第一聚光透鏡,以及
第五步驟,在從所述第二反射部輸出并輸入到所述光電二極管的輸出光的光路上的、所述第一襯底的背面或所述第二襯底的背面上形成第二聚光透鏡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





