[發明專利]針對鍍覆操作改善襯底的可濕性

在審

• 申請號: 201980037211.3
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN112236847A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 何治安;尚蒂納特·古艾迪;許亨俊;黃璐丹;馮敬斌;道格拉斯·希爾;托馬斯·伯克;馬尼什·蘭詹;安德魯·詹姆斯·普福
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/02;H01L21/324
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張華

1.一種減少氧化并增加襯底可濕性的方法，所述方法包括：

將所述襯底置于無氧且去離子(DI)濕化的襯底環境中持續預定時間量，所述襯底環境包含氮；

對所述襯底進行鍍覆操作；以及

在對所述襯底進行所述鍍覆操作之后，在退火室中對所述襯底進行后退火。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包含形成于其上的金屬晶種層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底環境為前開式晶片傳送盒(FOUP)。

4.根據權利要求1所述的方法，其還包括將所述襯底環境內的相對濕度(RH)范圍控制在20％與100％之間的范圍內。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述鍍覆操作包括電化學沉積。

6.根據權利要求1所述的方法，其還包括在鍍覆后室中進行所述襯底的清潔和干燥。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述后退火工藝包括：

在30℃至400℃之間的溫度范圍內對所述襯底進行退火持續介于30秒與600秒之間；以及

冷卻所述襯底持續介于30秒與600秒之間。

8.一種減少氧化并增加襯底可濕性的方法，所述方法包括：

將所述襯底置于基于氮的襯底環境中持續預定時間量；

對所述襯底進行濕化操作：

對所述襯底進行鍍覆操作；以及

在對所述襯底進行所述鍍覆操作之后，在退火室中對所述襯底進行后退火。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述濕化操作包括：

將所述襯底置于預處理室中，其包含使所述襯底經歷真空下的基于氫等離子體的工藝；

在所述基于氫等離子體的工藝之后，將所述襯底置于真空至大氣轉換模塊中；以及

供應水蒸氣至所述真空至大氣轉換模塊，以增加所述襯底的表面上的水蒸氣吸附。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述濕化操作包括：

將所述襯底置于預處理室中，其包括使所述襯底經歷真空下的基于氫等離子體的工藝；

在所述基于氫等離子體的工藝之后，將所述襯底置于真空至大氣轉換模塊中；

將所述襯底置于停留站中，其包含旋轉所述襯底；以及

供應水蒸氣至所述停留站，以增加所述襯底的表面上的水蒸氣吸附。

11.根據權利要求9或10所述的方法，其還包括：

通過在所述襯底的表面上形成氫氧根層來促進所述水蒸氣吸附。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述襯底的轉速介于0轉/分鐘(RPM)與1300RPM之間。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述襯底包含形成于其上的金屬晶種層。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述鍍覆操作包括電化學沉積。

15.一種減少氧化并增加襯底可濕性的方法，所述方法包括：

將所述襯底置于襯底環境中持續預定時間量；

以包含氫的混合氣體，對所述襯底進行預退火工藝；

在所述預退火工藝之后，對所述襯底進行濕化操作；

對所述襯底進行鍍覆操作；以及

在對所述襯底進行所述鍍覆操作之后，在退火室中對所述襯底進行后退火。