[發明專利]流體控制設備

在審

• 申請號: 201980032068.9
• 申請日: 2019-07-16
• 公開（公告）號: CN112119249A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 丹野龍太郎;篠原努;鈴木裕也;木曾秀則;渡邊義明
• 申請（專利權）人: 株式會社富士金
• 主分類號: F16K37/00
• 分類號: F16K37/00;F16K7/12;G01M3/26
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 張黎;龔敏

本發明提供一種在流體控制設備中即使流體的漏出微小的情況下也能夠高精度地探測到漏出的技術。流體控制設備(V1)具有：閥主體(1)，形成有流路；隔膜(22)，將封閉空間(S2)從流路隔離；閥蓋(24)，與隔膜(22)之間形成封閉空間(S2)，并且該閥蓋設置有貫插孔(241a)，該貫插孔與封閉空間(S2)連通且供隔膜壓件(23)能夠上下移動地進行貫穿插入；隔膜壓件(23)，在貫插孔(241a)內上下移動來按壓隔膜(22)，并且設置有使得所述隔膜壓件(23)不能從貫插孔(241a)拔出的擴徑部(232)；壓力傳感器(P)，檢測封閉空間(S2)內的壓力；以及彈性體(6)，在封閉空間(S2)內夾設于隔膜壓件(23)的擴徑部(232)與閥蓋(24)之間，伴隨著隔膜壓件(23)的上下移動而在隔膜壓件(23)的擴徑部(232)與閥蓋(24)之間彈性地膨脹收縮。

技術領域

本發明涉及在流體控制裝置中探測流體的漏出的技術。

背景技術

以往，在半導體晶圓的表面形成薄膜的成膜處理中，要求膜厚的細微的控制，近年來，使用了以原子級或分子級的厚度形成薄膜的ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)這樣的成膜方法。

但是，這樣的成膜處理對向成膜裝置供給流體的流體控制設備要求比迄今為止更高的高頻度的開閉動作，有時會由于其負荷而容易引起流體的漏出等。故而，對能夠容易地探測流體控制設備中的流體的漏出的技術的要求變高。

另外，在半導體制造工藝中使用反應性高、毒性極高的氣體，因此重要的是能夠在漏出微小的情況下且能夠遠程地探測到漏出。

在這方面，在專利文獻1中，提出了一種由形成于對流體的流量進行控制的控制器的外表面的孔和安裝于該孔的泄漏探測構件構成的密封部破損探測機構，所述孔與控制器內的空隙連通，所述泄漏探測構件由安裝于所述孔的筒狀體和設置于該筒狀體的可動構件構成，該可動構件基于在控制器內的所述空隙內充滿的漏出流體的壓力而能向所述筒狀體的外側移動。

另外，在專利文獻2中，提出了一種由形成于對流體的流量進行控制的控制器的外表面的孔和安裝于該孔的泄漏探測構件構成的帶密封部破損探測機構的控制器，所述孔與控制器內的空隙連通，所述泄漏探測構件根據特定的流體的存在而感應。

另外，在專利文獻3中，提出了一種檢測流體的泄漏的泄漏檢測裝置，其具備：傳感器保持體；超聲波傳感器，其設置于泄漏檢測對象部件并以與將泄漏檢測對象部件內的密封部分和外部進行連通的泄漏端口對置的方式保持于傳感器保持體；超聲波通道，其設置于超聲波傳感器的傳感器面與泄漏端口之間；以及處理電路，其對由超聲波傳感器得到的超聲波進行處理。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平04-093736號公報

專利文獻2：日本特開平05-126669號公報

專利文獻3：日本特開2014-21029號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，在專利文獻1記載的密封部破損探測機構中，雖然能夠判別控制器內的空隙的加壓，但是無法判別負壓，在流體的漏出微小的情況下，可動構件不能充分地移動，可能無法探測漏出。

另外，在專利文獻2記載的帶密封部破損探測機構的控制器中，在流體的漏出微小的情況下，可能被凈化氣體稀釋化而泄漏探測構件不進行感應，另外，泄漏探測構件對給定的流體也可能不進行感應。

而且，在專利文獻3記載的泄漏檢測裝置中，在流體的漏出微小的情況下，超聲波微弱也可能無法探測漏出。

因此，本發明的目的之一在于，提供一種在流體控制設備中即使流體的漏出微小的情況下也能夠高精度地探測到漏出的技術。