[發明專利]用于在通孔形成期間減少基板表面破壞的系統和方法在審
| 申請號: | 201980031900.3 | 申請日: | 2019-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN112119499A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 肖恩·馬修·加納;小丹尼爾·韋恩·利夫斯基;羅伯特·喬治·曼利;加勒特·安德魯·皮耶赫;拉杰什·瓦迪;希瑟·妮可·萬塞盧斯 | 申請(專利權)人: | 康寧公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;吳啟超 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 形成 期間 減少 表面 破壞 系統 方法 | ||
1.一種用于處理基板的方法,所述方法包括:
在基板上執行通孔預限定,其中產生通過所述基板的至少一個限定的路徑;
在執行所述通孔預限定之后在所述基板上形成非通孔結構;以及
在所述基板上形成所述非通孔結構之后,蝕刻所述基板,使得用比所述基板上的其他位置處的基板材料高的速率移除圍繞所述預限定的路徑的基板材料,其中通孔形成在與所述限定的路徑相對應的位置處。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述基板是透明基板。
3.如權利要求1所述的方法,其中所述基板選自由以下項組成的組:玻璃基板、玻璃陶瓷基板和陶瓷基板。
4.如權利要求1所述的方法,其中所述方法進一步包括:
在執行所述通孔預限定之前,將保護層施加到所述基板上,其中所述通孔預限定執行通過所述保護層。
5.如權利要求4所述的方法,其中所述保護層包括對限定的光波長至少部分地透明的材料片。
6.如權利要求4所述的方法,其中將所述保護層施加到所述基板上包括:將所述保護層非粘合地放置在所述基板上。
7.如權利要求4所述的方法,其中將所述保護層施加在所述基板上包括:將所述保護層粘合地放置在所述基板上。
8.如權利要求4所述的方法,其中將所述保護層施加在所述基板上包括:將保護材料沉積于所述基板的至少一個表面上。
9.如權利要求1所述的方法,其中執行所述通孔預限定包括非燒蝕激光鉆孔,所述非燒蝕激光鉆孔形成從所述基板的第一表面延伸到所述基板的第二表面的所述預限定的路徑。
10.如權利要求1所述的方法,其中執行所述通孔預限定包括準非繞射鉆孔,所述準非繞射鉆孔形成從所述基板的第一表面延伸到所述基板的第二表面的所述預限定的路徑,并且其中所述預限定的路徑包括所述基板的材料,在所述材料中,與所述基板的未暴露于所述準非繞射鉆孔的材料相比,至少一個特性已經改變。
11.如權利要求10所述的方法,其中所述至少一個特性是折射率。
12.如權利要求10所述的方法,其中所述至少一個特性是密度。
13.如權利要求10所述的方法,其中改變所述至少一個特性使得暴露于準非繞射鉆孔的所述材料的蝕刻速率是未暴露于所述準非繞射鉆孔的所述材料的至少兩倍。
14.如權利要求1所述的方法,其中執行所述通孔預限定包括燒蝕激光鉆孔,所述燒蝕激光鉆孔形成從所述基板的第一表面延伸到所述基板的第二表面的所述預限定的路徑。
15.如權利要求1所述的方法,其中執行所述通孔預限定包括使用高斯射束的沖擊鉆孔。
16.如權利要求1所述的方法,其中所述方法進一步包括:
在蝕刻所述基板之前在至少所述非通孔結構上形成保護涂層,其中所述保護涂層操作以在所述基板的蝕刻期間減少所述非通孔結構的損壞。
17.如權利要求16所述的方法,其中形成所述保護涂層進一步包括:在所述基板的所述表面的至少一部分上形成所述保護涂層,并且其中所述保護涂層進一步操作以在所述基板的蝕刻期間減少所述基板的所述表面的所述部分的損壞。
18.如權利要求16所述的方法,其中所述保護涂層是氮氧化鉻(CrON)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





