[發明專利]錫系鈣鈦礦層以及太陽能電池的制造方法在審
| 申請號： | 201980031877.8 | 申請日： | 2019-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN112106219A | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 若宮淳志;尾崎雅司;劉劼瑋 | 申請（專利權）人： | 國立大學法人京都大學 |
| 主分類號： | H01L51/44 | 分類號： | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 劉俊;高珊 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 錫系鈣鈦 礦層 以及 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦層的制造方法，其特征在于，所述方法依序包含：
將包含錫系鈣鈦礦化合物的溶液涂布于基板的工序；
于所述基板涂布反溶劑的工序；以及
將所述基板進行退火處理的工序；
其中，所述反溶劑為45℃以上100℃以下。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反溶劑為50℃以上85℃以下。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反溶劑為50℃以上70℃以下。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述反溶劑為通過一邊旋轉所述基板一邊滴下所述反溶劑而進行涂布，并于所述反溶劑涂布后2.5秒以上7.5秒以內停止所述旋轉。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述退火處理的工序包含將所述基板于包含溶劑蒸氣的密閉系統中階段性地加熱的工序。
6.一種鈣鈦礦層的制造方法，其特征在于，所述方法依序包含：
將包含錫系鈣鈦礦化合物的溶液涂布于基板的工序；
于所述基板涂布反溶劑的工序；以及
將所述基板進行退火處理的工序；
其中，所述反溶劑為室溫以上，由此促進晶種的形成，且抑制由晶種的結晶成長。
7.一種鈣鈦礦層的制造方法，其特征在于，所述方法依序包含：
將包含錫系鈣鈦礦化合物的溶液涂布于基板的工序；
于所述基板涂布反溶劑的工序；以及
將所述基板進行退火處理的工序；
其中，所述鈣鈦礦層的錫系鈣鈦礦化合物的覆蓋率為98％以上100％以下。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，
所述鈣鈦礦化合物的平均粒子直徑為150nm以上500nm以下。
9.一種鈣鈦礦型太陽能電池的制造方法，其特征在于，
包含權利要求1所述的方法。
10.一種鈣鈦礦型發光元件的制造方法，其特征在于，
包含權利要求1所述的方法。
11.一種鈣鈦礦層，其特征在于，
錫系鈣鈦礦化合物的覆蓋率為95％以上100％以下。
12.根據權利要求11所述的鈣鈦礦層，其特征在于，
所述錫系鈣鈦礦化合物的平均粒子直徑為150nm以上500nm以下。
13.一種鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，
包含權利要求11所述的鈣鈦礦層。
14.一種鈣鈦礦型發光元件，其特征在于，
包含權利要求11所述的鈣鈦礦層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
