[發(fā)明專利]攝像元件和電子設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980031807.2
• 申請日: 2019-05-07
• 公開（公告）號: CN112119501A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設計）人: 內(nèi)田哲彌
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種攝像元件，其包括：

基板；

第一像素，其包括設置在所述基板中的第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；

第二像素，其包括與所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)域相鄰且設置在所述基板中的第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；

溝槽，其在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)域和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間被設置于所述基板中；

第一區(qū)域，其包含于所述第一像素中；

第二區(qū)域，其包含于所述第二像素中；和

第三區(qū)域，其與所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域及所述溝槽接觸。

2.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域是N型雜質(zhì)區(qū)域或P型雜質(zhì)區(qū)域。

3.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域是具有同一電位的區(qū)域。

4.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是浮動擴散部(FD)。

5.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是接地區(qū)域。

6.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第三區(qū)域由相對于所述基板含有N型或P型雜質(zhì)的多晶硅形成。

7.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第三區(qū)域的側(cè)面中的兩個表面及所述第三區(qū)域的底面與形成在所述溝槽中的預定膜接觸。

8.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，連接到晶體管的配線與所述第三區(qū)域連接。

9.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第三區(qū)域的深度為所述第一區(qū)域的深度的50％至80％。

10.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，在所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域彼此接觸的部分中，所述第一區(qū)域被形成為與所述第三區(qū)域一樣大或被形成為比所述第三區(qū)域大。

11.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，所述第三區(qū)域以兩個表面與所述第一區(qū)域接觸。

12.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，

其中，連接到晶體管的配線與所述第一區(qū)域連接，并且

所述第一區(qū)域被形成為比所述第二區(qū)域大的區(qū)域。

13.根據(jù)權利要求1所述的攝像元件，其中，在所述溝槽的側(cè)壁上形成有包括P型區(qū)域和N型區(qū)域的PN結區(qū)域。

14.一種電子設備，其包括攝像元件，所述攝像元件包括：

基板；

第一像素，其包括設置在所述基板中的第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；

第二像素，其包括與所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)域相鄰且設置在所述基板中的第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；

溝槽，其在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)域和第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間被設置于所述基板中；

第一區(qū)域，其包含于所述第一像素中；

第二區(qū)域，其包含于所述第二像素中；和

第三區(qū)域，其與所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域及所述溝槽接觸。