[發(fā)明專(zhuān)利]多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980031729.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112119512A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 弗雷德里克·瓦龍;朱利安·埃爾薩巴希;久伊·帕拉特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所;原子能與替代能源委員會(huì)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L49/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L49/02;C25D11/18;H01G11/26;C25D11/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠(chéng);楊林森

1.一種多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，包括：

基板；

在所述基板上方的第一金屬層；

由所述第一金屬層的陽(yáng)極氧化部分構(gòu)成的多孔區(qū)域，所述多孔區(qū)域包括陽(yáng)極氧化物，所述陽(yáng)極氧化物具有從所述多孔區(qū)域的頂表面朝向所述基板延伸的多個(gè)孔；以及

在所述第一金屬層和所述多孔區(qū)域上方的硬掩模，所述硬掩模具有在所述多孔區(qū)域的限定區(qū)域的上方的開(kāi)口，被構(gòu)造成使得所述硬掩模覆蓋所述多孔區(qū)域的所述多個(gè)孔中的橫向孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，還包括：

在所述第一金屬層的頂部上的陽(yáng)極氧化硬掩模，所述陽(yáng)極氧化硬掩模具有在所述多孔區(qū)域的陽(yáng)極氧化區(qū)域上方的開(kāi)口，

其中，所述陽(yáng)極氧化區(qū)域的邊緣與所述限定區(qū)域的對(duì)應(yīng)邊緣之間的距離與所述第一金屬層的被陽(yáng)極氧化以形成所述多孔區(qū)域的部分的厚度有關(guān)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述距離的范圍為100納米至50微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求2至3中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述橫向孔落在所述陽(yáng)極氧化區(qū)域內(nèi)，但在所述多孔區(qū)域的所述限定區(qū)域外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，還包括：

在所述第一金屬層下方的第二金屬層，其中，所述多個(gè)孔中的非橫向孔延伸穿過(guò)所述多孔區(qū)域，以開(kāi)口到所述第二金屬層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述第二金屬層由鎢或鈦制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5至6中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，還包括：

電子部件，其形成在所述基板上，電連接至所述第二金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，還包括：

沉積在所述硬掩模頂部上的分層結(jié)構(gòu)，所述分層結(jié)構(gòu)嵌入在所述多孔區(qū)域中的不包括所述橫向孔的所述多個(gè)孔中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述分層結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層通過(guò)所述非橫向孔與所述第二金屬層電接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8至9中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述分層結(jié)構(gòu)包括金屬-絕緣體-金屬(MIM)堆疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述硬掩模由鎢或鈦制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述基板由硅、玻璃、或聚合物制成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至6或8至12中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述基板是未加工的基板。

14.一種電容性部件，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)。

15.一種制造多孔區(qū)域結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在基板上方沉積第一金屬層；

在所述第一金屬層的頂部上沉積陽(yáng)極氧化硬掩模，所述陽(yáng)極氧化硬掩模具有在所述第一金屬層的陽(yáng)極氧化區(qū)域上方的開(kāi)口；

對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行陽(yáng)極氧化，以在所述第一金屬層內(nèi)形成多孔區(qū)域，所述多孔區(qū)域在所述第一金屬層的所述陽(yáng)極氧化區(qū)域下面；

在所述多孔區(qū)域的頂部上沉積硬掩模，所述硬掩模具有在所述多孔區(qū)域的限定區(qū)域上方的開(kāi)口，所述限定區(qū)域小于所述陽(yáng)極氧化區(qū)域并且包括在所述陽(yáng)極氧化區(qū)域內(nèi)；以及

在所述硬掩模和所述多孔區(qū)域的頂部上沉積分層結(jié)構(gòu)，以將所述分層結(jié)構(gòu)嵌入至在所述多孔區(qū)域的所述限定區(qū)域上方的多孔區(qū)域中。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括：

在沉積所述硬掩模之前，選擇性地蝕刻所述陽(yáng)極氧化硬掩模。