[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及電容值測(cè)量方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980031609.6
• 申請(qǐng)日: 2019-04-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112105938A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森茂貴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;G01R27/26;H01L21/66;H01L21/822;H01L27/04;H03K3/03;H03K3/354
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

一種半導(dǎo)體裝置，包括：環(huán)形振蕩器，其包括多個(gè)柵極電路和第一負(fù)載電路，所述多個(gè)柵極電路布置在環(huán)路上，并且包括第一柵極電路，所述第一負(fù)載電路耦接到所述第一柵極電路的輸出端子，并且被配置為基于第一控制信號(hào)被設(shè)置為使能或禁用；和控制信號(hào)生成電路，被配置為產(chǎn)生第一控制信號(hào)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種包括電容器的半導(dǎo)體裝置以及測(cè)量電容器的電容值的電容值測(cè)量方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體裝置中，例如集成了包括晶體管，電阻器，電容器等的各種元件。關(guān)于半導(dǎo)體裝置，存在這些元素的值由于工藝變化而變化的可能性。例如，PTL1和2公開(kāi)了一種使環(huán)形振蕩器工作并由此測(cè)量負(fù)載電容的電容值的技術(shù)。環(huán)形振蕩器包括兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路和耦接到相應(yīng)柵極電路的負(fù)載電容。

引文目錄

專利文獻(xiàn)

PTL 1:日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2013-007691

PTL 2:日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)H06-268039

發(fā)明內(nèi)容

關(guān)于使環(huán)形振蕩器工作并由此測(cè)量負(fù)載電容的電容值的技術(shù)，期望測(cè)量操作的自由度高，并且期望自由度的進(jìn)一步改善。

希望提供一種半導(dǎo)體裝置和電容值測(cè)量方法，該半導(dǎo)體裝置和電容值測(cè)量方法使得在測(cè)量電容值時(shí)能夠增加測(cè)量操作的自由度。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括環(huán)形振蕩器和控制信號(hào)生成電路。環(huán)形振蕩器包括兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路和第一負(fù)載電路。所述兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路設(shè)置在環(huán)路路徑上并包括第一柵極電路。第一負(fù)載電路耦接到第一柵極電路的輸出端子，并包括第一電容器。所述第一電容器被配置為基于第一控制信號(hào)被設(shè)置為使能或禁用。所述控制信號(hào)生成電路被配置為生成所述第一控制信號(hào)。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的電容值測(cè)量方法包括:使環(huán)形振蕩器工作，所述環(huán)形振蕩器包括兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路和第一負(fù)載電路，所述兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路設(shè)置在環(huán)路路徑上并且包括第一柵極電路，所述第一負(fù)載電路耦接到所述第一柵極電路的輸出端并且包括第一電容器，所述第一電容器被配置為基于第一控制信號(hào)被設(shè)置為使能或禁用；測(cè)量所述兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路的消耗電流；測(cè)量由所述環(huán)形振蕩器產(chǎn)生的振蕩信號(hào)的頻率；以及基于所述消耗電流和所述頻率計(jì)算所述第一電容器的電容值。

在根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置和電容值測(cè)量方法中，兩個(gè)或更多個(gè)柵極電路設(shè)置在環(huán)路路徑上。第一負(fù)載電路耦接到第一柵極電路的輸出端子。所述第一負(fù)載電路包括所述第一電容器，所述第一電容器被配置為基于所述第一控制信號(hào)被設(shè)置為使能或禁用。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置和電容值測(cè)量方法，第一負(fù)載電路包括第一電容器，第一電容器被配置為基于第一控制信號(hào)被設(shè)置為使能或禁用，使得在測(cè)量電容值時(shí)可以增加測(cè)量操作的自由度。應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的效果不是限制性的，并且可以提供本公開(kāi)中描述的任何效果。

附圖說(shuō)明

[圖1]圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的半導(dǎo)體電路的配置的示例的框圖。

[圖2]圖2是示出包括圖1所示的半導(dǎo)體電路的測(cè)試系統(tǒng)的配置的示例的框圖。

[圖3]圖3是示出圖2中示出的測(cè)試系統(tǒng)的操作示例的流程圖。

[圖4A]圖4A是示出圖1中示出的半導(dǎo)體電路的操作示例的說(shuō)明圖。

[圖4B]圖4B是示出圖1中示出的半導(dǎo)體電路的操作的示例的說(shuō)明圖。

[圖5]圖5是示出根據(jù)修改示例的半導(dǎo)體電路的配置的示例的電路圖。

[圖6]圖6是示出根據(jù)另一修改示例的半導(dǎo)體電路的配置的示例的電路圖。