[發(fā)明專利]電磁波檢測器以及電磁波檢測器陣列在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980031374.0 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN112292763A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 福島昌一郎;島谷政彰;小川新平 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/10 | 分類號: | H01L31/10;G01J1/02;H01L27/146;H01L27/30 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁波 檢測器 以及 陣列 | ||
電磁波檢測器(100)包括:基板(5),具有表面和背面;絕緣層(4),設(shè)置于基板(5)的表面上,由稀土類氧化物構(gòu)成;一對電極(2),設(shè)置于絕緣層(4)之上,隔開間隔相對配置;以及二維材料層(1),在絕緣層(4)之上以與一對電極(2)電連接的方式設(shè)置。稀土類氧化物包含由第1稀土類元素的氧化物構(gòu)成的母材和在母材中被活化的、與第1稀土類元素不同的第2稀土類元素。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁波檢測器以及電磁波檢測器陣列,特別涉及在光檢測層中使用二維材料、在絕緣層中使用稀土類的電磁波檢測器以及電磁波檢測器陣列。
背景技術(shù)
作為在下一代的電磁波檢測器中使用的電磁波檢測層的材料,二維材料得到矚目。例如,石墨烯由于帶隙是零或者極其小,所以能夠比以往的電磁波檢測器擴(kuò)大可檢測的電磁波的波長域。例如,提出在基板上設(shè)置柵極氧化膜、在其之上沉積石墨烯的溝道層、在溝道層的兩端形成有源極以及漏極的電磁波檢測器(參照例如專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特表2013-502735號公報
發(fā)明內(nèi)容
然而,在由石墨烯單體形成電磁波檢測器的電磁波檢測層的情況下,在石墨烯中電磁波的吸收率非常低到幾%,所以存在即使可檢測的電磁波的波長域擴(kuò)大,但檢測靈敏度變低這樣的問題。
因此,本發(fā)明的目的在于得到一種能夠以高靈敏度檢測電磁波的電磁波檢測器。
本發(fā)明的一個方式提供電磁波檢測器,其特征在于,包括:基板,具有表面和背面;絕緣層,設(shè)置于基板的表面上,由稀土類氧化物構(gòu)成;一對電極,設(shè)置于絕緣層之上,隔開間隔相對配置;以及二維材料層,在絕緣層之上以與一對電極電連接的方式設(shè)置,稀土類氧化物包含由第1稀土類元素的氧化物構(gòu)成的母材和在母材中被活化的、與第1稀土類元素不同的第2稀土類元素。
在本發(fā)明中,通過在絕緣層的稀土類氧化物中活化稀土類元素,通過電磁波的入射在絕緣層內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)部電場,對二維材料層施加電壓。在二維材料層內(nèi),電子的遷移率大,針對輕微的電壓變化也產(chǎn)生大的電流變化,所以能夠靈敏度良好地檢測電磁波。
另外,通過本發(fā)明,通過變更在絕緣層的稀土類氧化物中被活化的稀土類元素,能夠調(diào)整選擇波長以及靈敏度,能夠以高靈敏度檢測電磁波。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的實施方式1的電磁波檢測器的頂視圖。
圖2是在II-II方向觀察圖1的電磁波檢測器的剖面圖。
圖3是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式1所涉及的電磁波檢測器的絕緣層的稀土類氧化物的結(jié)晶構(gòu)造的示意圖。
圖4是示出關(guān)于鐠活化氧化釔(Y2O3:Pr)的電子的能量能級的示意圖。
圖5是用于具體地說明光柵效應(yīng)的圖。
圖6是示出本發(fā)明的實施方式1所涉及的電磁波檢測器的變形例的剖面圖。
圖7是示出本發(fā)明的實施方式1所涉及的電磁波檢測器的其他變形例的剖面圖。
圖8是本發(fā)明的實施方式2所涉及的電磁波檢測器的剖面圖。
圖9是本發(fā)明的實施方式3所涉及的電磁波檢測器的剖面圖。
圖10是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式3所涉及的電磁波檢測器的絕緣層的稀土類氧化物的結(jié)晶構(gòu)造的示意圖。
圖11是示出關(guān)于鐿、銩活化氧化釔(Y2O3:Tm、Yb)的電子的能量能級的示意圖。
圖12是本發(fā)明的實施方式4所涉及的電磁波檢測器的剖面圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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