[發明專利]存儲器裝置的通道路由

有效

• 申請號: 201980031005.1
• 申請日: 2019-03-14
• 公開（公告）號: CN112119458B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: B·基思
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/04
• 分類號: G11C5/04;G11C5/06;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及存儲器裝置的通道路由。描述用于在存儲器裝置與主機裝置的接口之間路由信號的系統及裝置。一些存儲器技術可具有經定義預配置接口(例如，凸出)，其中每一接口端子可具有特定位置及特定功能。使用預配置接口可允許裝置制造商及存儲器制造商制造能夠在無特定設計的情況下彼此連接的部件。在一些情況中，存儲器裝置可包含重布層，所述重布層包含多個互連件，所述多個互連件可經配置以耦合所述存儲器裝置的通道端子與相關聯于所述主機裝置的接口。

交叉參考

本專利申請案主張基思(Keeth)在2019年3月14日申請的標題為“存儲器裝置的通道路由(CHANNEL ROUTING FOR MEMORY DEVICES)”的第PCT/US2019/022307號PCT申請案的優先權，所述PCT申請案主張基思在2019年3月11日申請的標題為“存儲器裝置的通道路由(CHANNEL ROUTING FOR MEMORY DEVICES)”的第16/298,338號美國專利申請案及由基思在2018年5月7日申請的標題為“存儲器裝置的通道路由(CHANNEL ROUTING FOR MEMORYDEVICES)”的第62/667,897號美國臨時專利申請案的優先權，所述專利申請案中的每一者被轉讓給其受讓人，且其中每一者以全文引用方式明確并入。

技術領域

技術領域涉及存儲器裝置的通道路由。

背景技術

下文大體上涉及與存儲器裝置的系統及裝置通道路由。

存儲器裝置廣泛用于在各種電子裝置中存儲信息，所述電子裝置例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器及類似物。信息通過編程存儲器裝置的不同狀態被存儲。舉例來說，二進制裝置具有兩種狀態，通常由邏輯“1”或邏輯“0”標示。在其它系統中，可存儲兩種以上狀態。為了存取經存儲信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的經存儲狀態。為了存取信息，電子裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)及其它。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部電源的情況下維持其經存儲邏輯狀態達延長時段。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可隨時間的推移丟失其經存儲狀態，除非其由外部電源周期性刷新。FeRAM可使用類似裝置架構作為易失性存儲器但可具有非易失性性質，這是由于使用了鐵電電容器作為存儲裝置。

改進存儲器裝置大體上可包含增加存儲器單元密度、提高讀取/寫入速度、提高可靠性、增加數據保留、降低電力消耗或降低制造成本等等。先進的存儲器技術已實現這些度量中的許多度量的改進，但高可靠性、低延時及/或低功率裝置往往很貴且無法擴展。隨著高可靠性、低延遲、低功率存儲器的應用數量的增加，對可擴展、高效且具有成本效益的裝置的需求也隨之增加。

發明內容

描述一種系統。所述系統可包含：存儲器裝置，其包括存儲器單元陣列及多個通道，所述多個通道與分布于所述存儲器單元陣列中的多個通道端子耦合，所述存儲器單元陣列包括各自包含多個存儲器單元存儲體的多個區域，所述多個通道中的每一通道與所述多個區域中的至少一個區域耦合。所述系統可包含：襯底，其包括集中式接口，所述集中式接口經配置以與所述存儲器裝置的所述多個通道端子耦合且在所述襯底與所述存儲器裝置之間建立通信鏈路；及多個互連件，其經配置以與遍及所述存儲器裝置的所述存儲器單元陣列分布的所述多個通道端子及所述襯底的所述集中式接口耦合。