[發明專利]減少裂紋的裝置、系統和方法

在審

• 申請號: 201980030803.2
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN112136201A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: J·B·潘克拉茨;D·R·派萊利芒特;U·克勞澤
• 申請（專利權）人: 先進工程解決方案全球控股私人有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C14/35;H01J37/34
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉瑜

1.一種沉積系統，包括：

交流電源，所述交流電源包括第一輸出和第二輸出；

接地的第一三軸電纜，所述第一三軸電纜包括第一中心導體和第一導電屏蔽部；

接地的第二三軸電纜，所述第二三軸電纜包括第二中心導體和第二導電屏蔽部；

沉積室，所述沉積室具有第一端子和第二端子；

所述第一輸出與所述第一中心導體耦合，并且所述第二輸出與所述第一導電屏蔽部耦合，所述第一輸出與所述第二導電屏蔽部耦合，并且所述第二輸出與所述第二中心導體耦合；

所述第一中心導體與所述第一端子耦合，并且所述第二內部導電屏蔽部與所述第一端子耦合；并且

所述第一內部導電屏蔽部與所述第二端子耦合，并且所述第二中心導體與所述第二端子耦合。

2.根據權利要求1所述的沉積系統，其中，所述第一三軸電纜還包括在所述交流電源和所述沉積室處接地的第一外部導電屏蔽部，所述第二三軸電纜還包括在所述交流電源和所述沉積室處接地的第二外部導電屏蔽部。

3.根據權利要求2所述的沉積系統，其中，所述沉積系統是玻璃涂層系統，并且所述第一三軸電纜和所述第二三軸電纜為寄生電流提供了電容性或低阻抗接地路徑，否則所述寄生電流在所述玻璃涂層系統中被處理的基板上導致缺陷。

4.根據權利要求1所述的沉積系統，其中，所述電源包括第一接地連接，并且所述沉積室包括第二接地連接，所述系統還包括耦合在所述第一接地連接和所述第二接地連接之間的低阻抗返回路徑。

5.根據權利要求2所述的沉積系統，其中，所述低阻抗返回路徑是接地帶，所述接地帶為來自所述室的高頻電流提供所述低阻抗返回路徑。

6.一種沉積系統，包括：

電源，所述電源包括第一輸出，所述第一輸出與沉積室的提供第一導電路徑的第一端子耦合，所述電源還包括第二輸出，所述第二輸出與所述沉積室的提供第二導電路徑的第二端子耦合，所述沉積室用于對基板進行處理；

阻抗元件，所述阻抗元件在所述第一導電路徑和地之間并且在所述第二導電路徑和地之間，所述阻抗元件提供了用于使寄生電流接地并且遠離所述基板的平衡的分流路徑。

7.根據權利要求6所述的沉積系統，其中，所述阻抗元件包括耦合在所述第一端子和地之間的第一電容器、和耦合在所述第二端子和地之間的第二電容器。

8.根據權利要求6所述的沉積系統，其中，所述阻抗元件包括耦合在所述第一輸出和地之間的第一電容器、和耦合在所述第二輸出和地之間的第二電容器。

9.根據權利要求6所述的沉積系統，其中，所述阻抗元件包括在所述第一導電路徑和地之間的第一阻抗元件、和在所述第二導電路徑和地之間的第二阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件具有相同的阻抗以提供所述平衡的分流路徑。

10.根據權利要求6所述的沉積系統，還包括：

第一導電組件，所述第一導電組件包括與所述等離子體沉積室的所述第一端子耦合的第一導體；以及

第二導電組件，所述第二導電組件包括與所述等離子體沉積室的所述第二端子耦合的第二導體。

11.根據權利要求10所述的沉積系統，其中：

所述阻抗元件包括第一阻抗元件和第二阻抗元件；

所述第一導電組件包括所述第一導體、和在所述第一導體和地之間的所述第一阻抗元件；

所述第二導電組件包括所述第二導體、和在所述第二導體和地之間的所述第二阻抗元件，所述第二阻抗元件提供了與所述第一阻抗元件相同的阻抗；

其中，所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件提供接地的所述平衡的分流路徑。

12.根據權利要求11所述的沉積系統，其中，所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件具有相同的阻抗。