[發(fā)明專利]預(yù)測限制存儲(chǔ)器區(qū)域類型

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980030458.2
• 申請(qǐng)日: 2019-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN112074823A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 理查德·威廉·恩肖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ARM有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/14
• 分類號(hào): G06F12/14;G06F9/38
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 田琳婧

1.一種裝置，包括：

處理電路，能夠預(yù)測性地發(fā)布請(qǐng)求從存儲(chǔ)器系統(tǒng)的目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域讀取數(shù)據(jù)的讀取請(qǐng)求；以及

存儲(chǔ)器訪問電路，基于將每個(gè)存儲(chǔ)器區(qū)域標(biāo)識(shí)為多個(gè)區(qū)域類型之一的存儲(chǔ)器屬性數(shù)據(jù)來控制對(duì)所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)的訪問；其中：

響應(yīng)于所述目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域被所述存儲(chǔ)器屬性數(shù)據(jù)指示為預(yù)測受限區(qū)域類型的第一讀取請(qǐng)求：

至少在所述第一讀取請(qǐng)求由所述處理電路非預(yù)測性地發(fā)布時(shí)，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為許可使用響應(yīng)于所述第一讀取請(qǐng)求獲取的數(shù)據(jù)來服務(wù)后續(xù)讀取請(qǐng)求；以及

當(dāng)所述第一讀取請(qǐng)求由所述處理電路預(yù)測性地發(fā)布時(shí)，至少在響應(yīng)于所述第一讀取請(qǐng)求獲取的數(shù)據(jù)在所述處理電路的緩存中的存儲(chǔ)將需要在所述緩存中分配新條目時(shí)，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為禁止至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作在所述處理電路解析出所述第一讀取請(qǐng)求是否正確之前被執(zhí)行，其中，針對(duì)指定所述預(yù)測受限區(qū)域類型的目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域的非預(yù)測性發(fā)布的讀取請(qǐng)求，該至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作是被許可的。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作包括有可能導(dǎo)致下述效果的動(dòng)作：該效果是通過測量緩存訪問定時(shí)或存儲(chǔ)器系統(tǒng)訪問定時(shí)能夠檢測到的。

3.如權(quán)利要求1和2中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作包括：響應(yīng)于來自所述處理電路的所述第一讀取請(qǐng)求，向所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)發(fā)布讀取事務(wù)。

4.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作包括將響應(yīng)于所述讀取請(qǐng)求從所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)獲取的數(shù)據(jù)返回給所述處理電路。

5.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作包括在所述緩存中分配用于存儲(chǔ)與所述目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的新條目。

6.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中，當(dāng)所述第一讀取請(qǐng)求由所述處理電路預(yù)測性地發(fā)布并且在所述第一讀取請(qǐng)求的發(fā)布之前在所述緩存中已經(jīng)分配了用于存儲(chǔ)與所述目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的條目時(shí)，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為禁止所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作在所述處理電路解析出所述第一讀取請(qǐng)求是否正確之前被執(zhí)行。

7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，當(dāng)所述第一讀取請(qǐng)求由所述處理電路預(yù)測性地發(fā)布并且在所述第一讀取請(qǐng)求的發(fā)布之前在所述緩存中已經(jīng)分配了用于存儲(chǔ)與所述目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域相對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的條目時(shí)，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為允許所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作在所述處理電路解析出所述第一讀取請(qǐng)求是否正確之前被執(zhí)行。

8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作包括觸發(fā)改變，在該改變中，地址具有在除所述處理電路之外的主設(shè)備的至少一個(gè)遠(yuǎn)程緩存中分配的數(shù)據(jù)。

9.如權(quán)利要求1至6和8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作包括使所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)的未打開的DRAM頁被打開。

10.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述緩存包括所述處理電路的1級(jí)緩存。

11.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中：

當(dāng)所述第一讀取請(qǐng)求由所述處理電路預(yù)測性地發(fā)布時(shí)，至少在響應(yīng)于所述第一讀取請(qǐng)求獲取的數(shù)據(jù)在所述緩存中的存儲(chǔ)將需要在所述緩存中分配新條目時(shí)，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為：即使所述處理電路解析出所述第一讀取請(qǐng)求是正確的，也禁止所述至少一個(gè)響應(yīng)動(dòng)作響應(yīng)于所述第一讀取請(qǐng)求被執(zhí)行。

12.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為拒絕預(yù)測性地發(fā)布的下述讀取請(qǐng)求：針對(duì)這些請(qǐng)求的所述目標(biāo)存儲(chǔ)器區(qū)域是所述預(yù)測受限區(qū)域類型的。

13.如前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述存儲(chǔ)器訪問電路被配置為許可對(duì)所述預(yù)測受限區(qū)域類型的存儲(chǔ)器區(qū)域進(jìn)行未對(duì)齊的存儲(chǔ)器訪問。