[發明專利]具有不同絕緣柵極氧化物的分裂柵閃存存儲器單元及其形成方法

在審

• 申請號: 201980030337.8
• 申請日: 2019-04-09
• 公開（公告）號: CN112074958A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: N·多;蘇千乗;楊任偉
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術股份有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/788
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌

1.一種存儲器設備，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有間隔開的源極區和漏極區，其中所述襯底的溝道區在所述源極區與所述漏極區之間延伸；

多晶硅的浮柵，所述浮柵設置在所述溝道區的第一部分上方并且通過具有第一厚度的絕緣材料與所述第一部分絕緣，其中所述浮柵具有終止于銳利邊緣的傾斜上表面；

多晶硅的字線柵，所述字線柵設置在所述溝道區的第二部分上方并且通過具有第二厚度的絕緣材料與所述第二部分絕緣；和

多晶硅的擦除柵，所述擦除柵設置在所述源極區上方并且通過具有第三厚度的絕緣材料與所述源極區絕緣，其中所述擦除柵包括包繞在所述浮柵的所述銳利邊緣周圍并與所述銳利邊緣絕緣的凹口；

其中所述第三厚度大于所述第一厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中：

具有所述第一厚度的所述絕緣材料為氧化物；

具有所述第二厚度的所述絕緣材料為氧化物；并且

具有所述第三厚度的所述絕緣材料為氧化物。

3.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括：

絕緣材料間隔物，所述絕緣材料間隔物直接設置在所述浮柵上并在所述字線柵和所述擦除柵之間直接延伸。

4.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括：

自對準多晶硅化物，所述自對準多晶硅化物形成在所述字線柵和所述擦除柵的上表面上。

5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中：

所述擦除柵的所述凹口通過具有第四厚度的絕緣材料與所述浮柵的所述銳利邊緣絕緣；并且

第二厚度小于所述第四厚度。

6.一種存儲器設備，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有源極區、第一漏極區和第二漏極區，其中所述襯底的第一溝道區在所述源極區與所述第一漏極區之間延伸，并且所述襯底的第二溝道區在所述源極區和所述第二漏極區之間延伸；

多晶硅的第一浮柵，所述第一浮柵設置在所述第一溝道區的第一部分上方并且通過具有第一厚度的絕緣材料與所述第一部分絕緣，其中所述第一浮柵具有終止于第一銳利邊緣的傾斜上表面；

多晶硅的第二浮柵，所述第二浮柵設置在所述第二溝道區的第一部分上方并且通過具有所述第一厚度的絕緣材料與所述第一部分絕緣，其中所述第二浮柵具有終止于第二銳利邊緣的傾斜上表面；

多晶硅的第一字線柵，所述第一字線柵設置在所述第一溝道區的第二部分上方并且通過具有第二厚度的絕緣材料與所述第二部分絕緣；

多晶硅的第二字線柵，所述第二字線柵設置在所述第二溝道區的第二部分上方并且通過具有第二厚度的絕緣材料與所述第二部分絕緣；和

多晶硅的擦除柵，所述擦除柵設置在所述源極區上方并且通過具有第三厚度的絕緣材料與所述源極區絕緣，其中所述擦除柵包括第一凹口和第二凹口，所述第一凹口包繞在所述第一浮柵的所述第一銳利邊緣周圍并與所述第一銳利邊緣絕緣，所述第二凹口包繞在所述第二浮柵的所述第二銳利邊緣周圍并與所述第二銳利邊緣絕緣；

其中所述第三厚度大于所述第一厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。

7.根據權利要求6所述的存儲器設備，其中：

具有所述第一厚度的所述絕緣材料為氧化物；

具有所述第二厚度的所述絕緣材料為氧化物；并且

具有所述第三厚度的所述絕緣材料為氧化物。

8.根據權利要求6所述的存儲器設備，還包括：

第一絕緣材料間隔物，所述第一絕緣材料間隔物直接設置在所述第一浮柵上并在所述第一字線柵和所述擦除柵之間直接延伸；

第二絕緣材料間隔物，所述第二絕緣材料間隔物直接設置在所述第二浮柵上并在所述第二字線柵和所述擦除柵之間直接延伸。

9.根據權利要求6所述的存儲器設備，還包括：

自對準多晶硅化物，所述自對準多晶硅化物形成在所述第一字線柵和所述第二字線柵以及所述擦除柵的上表面上。