[發明專利]電容器集合體有效
| 申請號: | 201980028595.2 | 申請日: | 2019-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN112041954B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | 原田真臣;竹內雅樹;香川武史;松原弘 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/33 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;王海奇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 集合體 | ||
本發明提供電容器集合體,具有多個電容器(100)以及保持多個電容器(100)的保持體(300)。多個電容器(100)分別包含半導體基板、第一電極層、電介質層、第二電極層以及外部電極。多個電容器(100)包含第一電容器(100F)與第二電容器(100S)。第二電容器(100S)關于第一電極層、第二電極層以及外部電極的至少1個具有與第一電容器(100F)不同的形狀。
技術領域
本發明涉及一種電容器集合體。
背景技術
作為公開了多個電容器收納體所具備的電容器的結構的現有文獻,存在日本特開2011-44613號公報(專利文獻1)。作為專利文獻1中記載的電子部件的電容器具備:形成于基板上的電路元件;與電路元件連接的電極層;覆蓋電極層的保護層;以及經由貫穿保護層的通孔導體與電極層連接且設置于保護層的上部的端子電極,端子電極的一方端位于保護層的側壁面上。
專利文獻1:日本特開2011-44613號公報。
通過在晶片狀態的半導體基板上成膜,從而制造多個電容器。存在因成膜時的膜厚的偏差而在晶片狀態的半導體基板的面內產生應力分布這一情況。具體而言,電極層的膜厚越厚的部分成膜時的收縮量越大,產生越高的應力。在電極層作用有高應力的情況下,存在產生裂縫或者剝離的情況。在電極層產生了裂縫或者剝離的電容器為不合格品,因此能夠從晶片狀態的半導體基板制造的電容器的成品率變低。其結果是,存在阻礙電容器的低成本化這一問題。
發明內容
本發明是鑒于上述問題點而完成的,目的在于提供一種能夠將電容器低成本化的電容器集合體。
基于本發明的電容器集合體具備多個電容器和保持多個電容器的保持體。多個電容器分別包含半導體基板、第一電極層、電介質層、第二電極層以及外部電極。半導體基板具有一方的主面。第一電極層位于半導體基板的一方的主面側。電介質層層疊于第一電極層。第二電極層層疊于電介質層。外部電極分別對應地連接于第一電極層以及第二電極層。多個電容器包含第一電容器和第二電容器。第二電容器關于第一電極層、第二電極層以及外部電極的至少1個具有與第一電容器不同的形狀。
根據本發明,能夠將電容器低成本化。
附圖說明
圖1是從外部電極側觀察本發明的實施方式1所涉及的電容器集合體所具備的多個電容器中的一個例子的電容器的俯視圖。
圖2是從II-II線箭頭方向觀察圖1的電容器的剖視圖。
圖3是示出在圖1的電容器的制造方法中,在半導體基板的一方的主面上設置有絕緣層的狀態的剖視圖。
圖4是示出在圖1的電容器的制造方法中,在絕緣層上設置有第一電極層的狀態的剖視圖。
圖5是示出在圖1的電容器的制造方法中,在第一電極層上設置有電介質層的狀態的剖視圖。
圖6是示出在圖1的電容器的制造方法中,在電介質層上設置有第二電極層的狀態的剖視圖。
圖7是示出在圖1的電容器的制造方法中,設置有保護層的狀態的剖視圖。
圖8是從外部電極側觀察本發明的實施方式1所涉及的電容器集合體所具備的多個電容器中的第一電容器的俯視圖。
圖9是示出在晶片狀態的半導體基板上成膜時的在晶片狀態的半導體基板的面內的應力分布的一個例子的圖。
圖10是示出本發明的實施方式1所涉及的電容器集合體的結構的立體圖。
圖11是作為本實施方式所涉及的電容器集合體的另一個例子并示出保持體為切割條的電容器集合體的俯視圖。
圖12是作為本實施方式所涉及的電容器集合體的又一個例子并示出保持體為芯片托盤的電容器集合體的立體圖。
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