[發(fā)明專(zhuān)利]抗蝕劑下層膜形成用組合物和圖案形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980028515.3
• 申請(qǐng)日: 2019-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112088336A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤隆;越后雅敏;牧野島高史
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/11
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/11;G03F7/20;G03F7/26
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其含有下述式(1)所示的化合物，

[L_xTe(OR¹)_y] (1)

所述式(1)中，L為除OR¹以外的配體，R¹為氫原子、取代或未取代的碳數(shù)1～20的直鏈狀或碳數(shù)3～20的支鏈狀或環(huán)狀的烷基、取代或未取代的碳數(shù)6～20的芳基、取代或未取代的碳數(shù)2～20的烯基、和取代或未取代的碳數(shù)2～20的炔基中的任意者，x為0～6的整數(shù)，y為0～6的整數(shù)，x與y的總計(jì)為1～6，x為2以上的情況下，多個(gè)L任選相同或不同，y為2以上的情況下，多個(gè)R¹任選相同或不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，x為1～6的整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，y為1～6的整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，R¹為取代或未取代的碳數(shù)1～6的直鏈狀或碳數(shù)3～6的支鏈狀或環(huán)狀的烷基。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，L為二齒以上的配體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，L為乙酰丙酮、2,2-二甲基-3,5-己二酮、乙二胺、二亞乙基三胺和甲基丙烯酸中的任意者。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含溶劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含產(chǎn)酸劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含酸交聯(lián)劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含酸擴(kuò)散控制劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含聚合引發(fā)劑。

12.一種圖案形成方法，其包括如下工序：

使用權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物在基板上形成抗蝕劑下層膜的工序；

在所述抗蝕劑下層膜上形成至少1層光致抗蝕層的工序；和，

對(duì)所述光致抗蝕層的規(guī)定區(qū)域照射輻射線(xiàn)，進(jìn)行顯影的工序。

13.一種圖案形成方法，其包括如下工序：

使用權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物在基板上形成抗蝕劑下層膜的工序；

使用抗蝕劑中間層膜材料在所述抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑中間層膜的工序；

在所述抗蝕劑中間層膜上形成至少1層光致抗蝕層的工序；

對(duì)所述光致抗蝕層的規(guī)定區(qū)域照射輻射線(xiàn)并進(jìn)行顯影而形成抗蝕圖案的工序；

以所述抗蝕圖案為蝕刻掩模，對(duì)所述抗蝕劑中間層膜進(jìn)行蝕刻，從而形成中間層膜圖案的工序；

以所述中間層膜圖案為蝕刻掩模，對(duì)所述抗蝕劑下層膜進(jìn)行蝕刻，從而形成下層膜圖案的工序；和，

以所述下層膜圖案為蝕刻掩模，對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，從而在基板形成圖案的工序。