[發(fā)明專利]用于檢測陳化處理的終點的方法和設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980028383.4 | 申請日: | 2019-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN112041976A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·V·R·科米塞蒂;瑞安·帕茨;賽斯恩德拉·甘塔薩拉;張立明;伊達·滕塞;肖恩·史密斯 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 檢測 陳化 處理 終點 方法 設(shè)備 | ||
1.一種用于檢測陳化處理的終點的設(shè)備,所述設(shè)備包括:
處理腔室;
一組傳感器,耦接至所述處理腔室;
至少一個存儲器,經(jīng)配置以存儲:
陳化進度數(shù)據(jù),指示用于第一多個基板中的每一基板的至少一個陳化處理的進度;和
歷史參數(shù)值,當(dāng)在所述陳化處理期間處理所述第一多個基板中的每一基板時由從所述一組傳感器中選出的多個傳感器測量;和
控制器,經(jīng)配置以:
相對于所述第一多個基板中的特定基板的多個歷史參數(shù)值,歸一化所述第一多個基板中的每一基板的所述歷史參數(shù)值;
通過將一系數(shù)集應(yīng)用于所述第一多個基板中的每一基板的所述歸一化歷史參數(shù)值,生成多變量分析(MVA)模型;
通過利用所述第一多個基板中的每一基板的所述歸一化歷史參數(shù)值對邏輯方程的輸出值執(zhí)行回歸操作來決定所述系數(shù)集,其中所述邏輯方程的輸入為所述MVA模型的輸出;
當(dāng)處理第二多個基板時,從所述多個傳感器接收多個實質(zhì)實時參數(shù)值;和
使用具有所述多個實質(zhì)實時參數(shù)值的所述MVA模型,決定所述陳化處理的終點。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述邏輯方程為:
其中yi為所述MVA模型針對第i個基板的輸出,并且Si為指示當(dāng)處理所述第i個基板時所述陳化處理的進度的陳化指數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中所述控制器進一步經(jīng)配置以當(dāng)所述第二多個基板中的特定數(shù)目的基板的所述陳化指數(shù)滿足閾值時檢測所述陳化處理的所述終點。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述回歸操作為最小化所述邏輯方程的輸出與所述陳化進度數(shù)據(jù)中的每一個之間的誤差的平方和的最小二乘回歸。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述回歸操作為支持向量機(SVM)回歸,所述支持向量機(SVM)回歸調(diào)整超平面的位置以具有從所述陳化進度數(shù)據(jù)的向量的最大余量。
6.一種用于在處理腔室中檢測陳化處理的終點的方法,所述方法包括以下步驟:
獲得指示第一多個基板中的每一基板的陳化處理的進度的陳化進度數(shù)據(jù);
當(dāng)處理所述第一多個基板中的每一基板時,獲得由從耦接至處理腔室的一組傳感器中選出的多個傳感器測量的歷史參數(shù)值;
相對于所述第一多個基板中的特定基板的多個歷史參數(shù)值,歸一化所述第一多個基板中的每一基板的所述歷史參數(shù)值;
通過將一系數(shù)集應(yīng)用于所述第一多個基板中的每一基板的所述歸一化歷史參數(shù)值,生成多變量分析(MVA)模型;
通過利用所述第一多個基板中的每一基板的所述歸一化歷史參數(shù)值對邏輯方程的輸出值執(zhí)行回歸操作來決定所述系數(shù)集,其中所述邏輯方程的輸入為所述MVA模型的輸出;
當(dāng)處理第二多個基板中的每一基板時,從所述多個傳感器接收多個實質(zhì)實時參數(shù)值;和
使用具有所述多個實質(zhì)實時參數(shù)值的所述MVA模型,決定所述陳化處理的終點。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,進一步包括:取決于所述處理腔室執(zhí)行的處理的種類,在所述一組傳感器中選出所述多個傳感器以收集。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其中所述回歸操作為分別最小化所述邏輯方程的每一輸出與所述陳化進度數(shù)據(jù)中的每一者之間的誤差的平方和的最小二乘回歸。
9.如權(quán)利要求6所述的方法,其中所述回歸操作為支持向量機(SVM)回歸,所述支持向量機(SVM)回歸調(diào)整超平面的位置以具有從所述陳化進度數(shù)據(jù)的向量的最大余量。
10.如權(quán)利要求6所述的方法,其中所述邏輯方程為:
其中yi為所述MVA模型針對第i個基板的輸出,并且Si為指示當(dāng)處理所述第i個基板時所述陳化處理的進度的陳化指數(shù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





