[發(fā)明專利]光學(xué)半導(dǎo)體元件及其制造方法以及光學(xué)集成半導(dǎo)體元件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980028314.3 | 申請日： | 2019-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN112042069A | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 渡邊孝幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/227 | 分類號： | H01S5/227;H01S5/026 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 李蘭;孫志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 半導(dǎo)體 元件 及其 制造 方法 以及 集成 | ||
一種光學(xué)半導(dǎo)體元件具有：半導(dǎo)體襯底；第一導(dǎo)電類型的第一覆層，該第一覆層被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上；有源層，該有源層被設(shè)置在第一覆層上；第二導(dǎo)電類型的第二覆層，該第二覆層被設(shè)置在有源層上；第一臺面，該第一臺面由第一覆層的一部分、有源層和第二覆層構(gòu)成；第二導(dǎo)電類型的輔助覆層，該輔助覆層被設(shè)置在第一臺面上；第二臺面，該第二臺面由輔助覆層構(gòu)成；以及所述半絕緣層，該半絕緣層被設(shè)置在第一覆層上且被設(shè)置在第一臺面的兩側(cè)和第二臺面的兩側(cè)，其中，第二臺面的寬度大于第一臺面的寬度。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種光學(xué)半導(dǎo)體元件及其制造方法，以及一種光學(xué)集成半導(dǎo)體元件及其制造方法。
背景技術(shù)
光學(xué)半導(dǎo)體元件已經(jīng)用在光學(xué)通信系統(tǒng)中(例如，專利文獻(xiàn)1)。為了降低功耗，需要減小光學(xué)半導(dǎo)體元件的串聯(lián)電阻。另一方面，對于高速操作，需要減小光學(xué)半導(dǎo)體元件的電容。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：日本專利申請公開No.H5-55696
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開的一種光學(xué)半導(dǎo)體元件，包括：半導(dǎo)體襯底；第一導(dǎo)電類型的第一覆層，該第一覆層被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上；有源層，該有源層被設(shè)置在第一覆層上；第二導(dǎo)電類型的第二覆層，該第二覆層被設(shè)置在有源層上；第一臺面，該第一臺面由第一覆層的一部分、有源層和第二覆層構(gòu)成；第二導(dǎo)電類型的輔助覆層，該輔助覆層被設(shè)置在第一臺面上；第二臺面，該第二臺面由輔助覆層構(gòu)成；以及所述半絕緣層，該半絕緣層被設(shè)置在第一覆層上且在第一臺面的兩側(cè)和第二臺面的兩側(cè)，其中，第二臺面的寬度大于第一臺面的寬度。
根據(jù)本公開的一種光學(xué)集成半導(dǎo)體元件，包括：半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底包括用作激光元件的第一區(qū)域和用作調(diào)制器的第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域沿激光元件的光軸方向連續(xù)；第一導(dǎo)電類型的第一覆層，該第一覆層被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的第一區(qū)域和第二區(qū)域中；第一有源層，該第一有源層被設(shè)置在第一覆層上且在第一區(qū)域中；第二有源層，該第二有源層被設(shè)置在第一覆層上且在第二區(qū)域中，第一有源層和第二有源層沿激光元件的光軸方向連續(xù)；第二導(dǎo)電類型的第二覆層，該第二覆層被設(shè)置在第一有源層上；第二導(dǎo)電類型的第三覆層，該第三覆層被設(shè)置在第二有源層上，第二覆層和第三覆層沿激光元件的光軸方向連續(xù)；第一臺面，第一臺面在第一區(qū)域中，并且由第一覆層的一部分、第一有源層和第二覆層構(gòu)成；第二臺面，第二臺面設(shè)置在第二區(qū)域中，使得第二臺面和第一臺面沿著激光元件的光軸方向連續(xù)，并且由第一覆層的一部分、第二有源層和第三覆層構(gòu)成；第二導(dǎo)電類型的輔助覆層，該輔助覆層被設(shè)置在第二覆層和第三覆層上；第三臺面，第三臺面被設(shè)置在第一區(qū)域中，并且由輔助覆層構(gòu)成；以及第四臺面，第四臺面被設(shè)置在第二區(qū)域中，使得第三臺面和第四臺面沿著激光元件的光軸方向連續(xù)，并且由輔助覆層構(gòu)成；以及半絕緣層，半絕緣層被設(shè)置在第一覆層上且在第一臺面的兩側(cè)、第二臺面的兩側(cè)、第三臺面的兩側(cè)以及第四臺面的兩側(cè)，其中，第三臺面的寬度大于第一臺面的寬度，并且第四臺面的寬度大于第二臺面的寬度，以及第三臺面的寬度大于第四臺面的寬度。
根據(jù)本公開的一種制造光學(xué)半導(dǎo)體元件的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成第一導(dǎo)電類型的第一覆層的步驟；在第一覆層上形成有源層的步驟；在有源層上形成第二導(dǎo)電類型的第二覆層的步驟；通過蝕刻第一覆層的一部分、有源層和第二覆層來形成由第一覆層、有源層和第二覆層構(gòu)成的第一臺面的步驟；在第一覆層上且在第一臺面的兩側(cè)形成第一半絕緣層的步驟；使第二導(dǎo)電類型的輔助覆層生長在第一臺面和第一半絕緣層上的步驟；通過蝕刻第一半絕緣層的一部分和輔助覆層，在第一臺面上形成具有大于第一臺面的寬度的第二臺面的步驟；以及在第一半絕緣層上且在第二臺面的兩側(cè)形成第二半絕緣層的步驟，其中，第二臺面的寬度大于第一臺面的寬度。
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