[發明專利]用于氣體副產品消除和前級管線清潔的設備在審
| 申請號: | 201980028140.0 | 申請日: | 2019-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN112020766A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 詹姆斯·拉赫魯克斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 氣體 副產品 消除 管線 清潔 設備 | ||
1.一種用于處理腔室的消除系統,包括:
排氣系統,所述排氣系統包括耦接至所述處理腔室的真空泵;
排氣冷卻設備,所述排氣冷卻設備耦接至在所述處理腔室與所述真空泵之間的所述排氣系統;和
遠程等離子體源,所述遠程等離子體源具有用于將等離子體供應到在所述處理腔室下游并且在所述排氣冷卻設備之前的所述排氣系統的出口,并且所述遠程等離子體源連接至氧氣源、清潔氣體源和惰性氣體源,
其中所述遠程等離子體源的所述出口流體連接以進入排氣前級管線,進入的位置鄰近于到所述排氣冷卻設備向所述前級管線的連接的入口。
2.如權利要求1所述的消除系統,進一步包括控制器,其中所述控制器致使所述遠程等離子體源進一步將解離氣體供應到所述排氣系統。
3.如權利要求1所述的消除系統,其中所述清潔氣體源將NF3、NF2H、CHF3或CF4供應到所述遠程等離子體源,并且所述惰性氣體源將氬供應到所述遠程等離子體源。
4.如權利要求1所述的消除系統,其中所述遠程等離子體源的所述出口流體連接以在從到所述排氣冷卻設備的所述入口上游6英寸與18英寸之間的位置處進入所述排氣前級管線。
5.如權利要求1所述的消除系統,其中所述遠程等離子體源是下列中的一者:電感耦合等離子體源、電容耦合等離子體源、直流等離子體源或微波等離子體源。
6.一種處理系統,包括:
處理腔室;
排氣系統,所述排氣系統包括耦接至所述處理腔室的真空泵;
排氣冷卻設備,所述排氣冷卻設備耦接至在所述處理腔室與所述真空泵之間的所述排氣系統;和
遠程等離子體源,所述遠程等離子體源用于將等離子體供應到在所述處理腔室下游并且在所述排氣冷卻設備之前的所述排氣系統,所述遠程等離子體源連接至氧氣源、清潔氣體源和惰性氣體源,
其中所述遠程等離子體源的所述出口流體連接以進入排氣前級管線,進入的位置鄰近于到所述前級管線的所述排氣冷卻設備連接的入口。
7.如權利要求6所述的處理系統,進一步包括控制器,其中所述控制器致使所述遠程等離子體源將解離氣體進一步供應到所述排氣系統。
8.如權利要求6所述的處理系統,其中所述清潔氣體源將NF3、NF2H、CHF3或CF4供應到所述遠程等離子體源,并且所述惰性氣體源將氬供應到所述遠程等離子體源。
9.如權利要求6所述的處理系統,其中所述遠程等離子體源的所述出口流體連接以在從到所述排氣冷卻設備的所述入口上游6英寸與18英寸之間的位置處進入所述排氣前級管線。
10.如權利要求6所述的處理系統,其中所述遠程等離子體源是下列中的一者:電感耦合等離子體源、電容耦合等離子體源、直流等離子體源或微波等離子體源。
11.一種系統,所述系統包括控制器,其中所述控制器包括中央處理單元和存儲器,并且所述存儲器進一步包括當由所述中央處理單元執行時致使執行以下操作的軟件:
使用由遠程等離子體源產生的氧化等離子體處理來自在所述處理系統的處理腔室中執行的沉積工藝的排放氣體,其中所述氧化等離子體包括氧化氣體;和
使用由所述遠程等離子體源產生的清潔等離子體處理來自在所述處理系統的所述處理腔室中執行的清潔工藝的排放氣體,其中所述清潔等離子體包括清潔氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





