[發明專利]聚合物薄片脫氣系統和方法

有效

• 申請號: 201980027725.0
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN112004585B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: K·A·杜利;J·S·洛威爾;J·A·庫倫
• 申請（專利權）人: 切弗朗菲利浦化學公司
• 主分類號: B01D19/00
• 分類號: B01D19/00;B01D45/00;B01J19/24;C08F6/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 王永偉

1.一種用于在一種或多種重烴的存在下聚合一種或多種烯烴單體的系統，包括：

聚合反應器，其被配置成聚合一種或多種烯烴單體并產生包括夾帶在流體中的固體聚合物薄片的產物流；

閃蒸室，其被配置成將所述固體聚合物薄片與所述流體分離并產生流體流和濃縮流，其中所述流體流包括低于所述產物流中的濃度的所述固體聚合物薄片，并且其中所述濃縮流包括高于所述產物流中的濃度的所述固體聚合物薄片；

流體流再循環線路，其被配置成使所述流體流從所述閃蒸室再循環至所述聚合反應器；

第一脫氣室，其被配置成通過使所述濃縮流與基本上由一種或多種輕烴組成的第一吹掃流體接觸以產生部分脫氣的聚合物薄片流和吹掃流體流從而分離所述濃縮流，其中，所述部分脫氣的聚合物薄片流包括低于所述濃縮流中的濃度的所述流體，并且所述吹掃流體流包括低于所述濃縮流中的濃度的所述固體聚合物薄片，

其中所述聚合反應器、所述閃蒸室和所述第一脫氣室是彼此區分的，并且

其中所述第一脫氣室中的G/P比是最小G/P比的2-5倍，所述G/P比為被進料到所述第一脫氣室的第一吹掃流體的質量流率(G)除以聚合物薄片的所述濃縮流的質量流率(P)，其中所述最小G/P比通過下式估算：

其中，HHC_in是以ft³/分鐘表示的所述一種或多種重烴從包括所述濃縮流和吹掃流體二者在內的所有流進料到所述第一脫氣室的體積速率，[E]_in是與所述濃縮流處于平衡的離開所述第一脫氣室的吹掃流體流中的所述一種或多種重烴的摩爾濃度，D_g是在所述第一脫氣室的條件下的所述吹掃流體流的密度，并且P是所述濃縮流的質量速率。

2.根據權利要求1所述的系統，其中所述第一脫氣室具有長度，并且其中所述第一吹掃流體的引入點為在所述第一吹掃流體的流動方向上在沿所述第一脫氣室的所述長度小于約20％處。

3.根據權利要求1所述的系統，進一步包括第二脫氣室，所述第二脫氣室被配置成通過使所述部分脫氣的聚合物薄片流與包括氮氣的第二吹掃流體接觸以產生完全脫氣的聚合物薄片流和用過的氮氣流，從而產生所述完全脫氣的聚合物薄片流，其中，所述完全脫氣的聚合物薄片流包括低于所述部分脫氣的聚合物薄片流中的濃度的所述流體，并且所述用過的氮氣流包括低于所述部分脫氣的聚合物薄片流中的濃度的所述固體聚合物薄片。

4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一吹掃流體包括所述一種或多種烯烴單體中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的系統，其中，所述流體是氣體。

6.根據權利要求1所述的系統，其中，所述流體是液體。

7.根據權利要求1所述的系統，進一步包括第一吹掃物再循環線路，所述第一吹掃物再循環線路被配置為使所述吹掃流體流從所述第一脫氣室再循環至所述聚合反應器。

8.根據權利要求1所述的系統，其中，所述一種或多種烯烴包括乙烯，并且所述聚合物薄片包括聚乙烯。

9.根據權利要求1所述的系統，其中，所述聚合反應器進一步被配置成在一種或多種重烴的存在下聚合一種或多種烯烴。

10.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一脫氣室具有的停留時間為約30分鐘至約180分鐘。

11.根據權利要求3所述的系統，其中，所述第二脫氣室具有的停留時間為約30分鐘至約180分鐘。

12.根據權利要求1所述的系統，其中，所述濃縮流中的吹掃流體與所述固體聚合物薄片的重量比為約0.005至約1。

13.根據權利要求3所述的系統，其中，所述部分脫氣的流中的所述第二吹掃流體與所述固體聚合物薄片的重量比為約0.001至約0.03。