[發明專利]基板處理系統和基板處理方法在審
| 申請號: | 201980026999.8 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN112005341A | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發明(設計)人: | 田之上隼斗 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B23K26/53;H01L21/304;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 方法 | ||
1.一種基板處理系統,其對基板進行處理,其中,
該基板處理系統具有:
偏心檢測裝置,其檢測接合第1基板和第2基板而成的層疊基板中的所述第1基板的偏心;
改性層形成裝置,其沿著所述第1基板中的去除對象的周緣部與中央部之間的邊界在該第1基板的內部形成改性層;以及
周緣去除裝置,其將所述周緣部以所述改性層為基點去除。
2.根據權利要求1所述的基板處理系統,其中,
該基板處理系統具有控制裝置,該控制裝置控制所述偏心檢測裝置、所述改性層形成裝置以及所述周緣去除裝置,
所述改性層形成裝置包括保持所述層疊基板的保持部和針對保持于所述保持部的所述層疊基板在所述第1基板的內部形成所述改性層的改性部,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果,針對由所述改性部進行的處理,調整保持于所述保持部的所述層疊基板中的所述第1基板的中心。
3.根據權利要求2所述的基板處理系統,其中,
所述改性部向所述第1基板的內部照射激光束而形成所述改性層,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果,調整所述保持部的中心軸線或者來自所述改性部的激光束的照射軸線。
4.根據權利要求2所述的基板處理系統,其中,
該基板處理系統具有輸送裝置,該輸送裝置相對于所述偏心檢測裝置、所述改性層形成裝置以及所述周緣去除裝置輸送所述層疊基板,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果控制所述輸送裝置,以使所述第1基板的中心與所述保持部的中心一致的方式向所述保持部輸送所述層疊基板。
5.根據權利要求2所述的基板處理系統,其中,
所述周緣去除裝置包括對所述第1基板的非接合面進行磨削的磨削單元和進行所述層疊基板的位置調整的處理單元,
所述改性層形成裝置的所述保持部和所述改性部設于所述處理單元,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果來控制所述處理單元。
6.根據權利要求1所述的基板處理系統,其中,
該基板處理系統具有:
界面處理裝置,其包括保持所述層疊基板的其他保持部和針對保持于所述其他保持部的所述層疊基板使所述第1基板的所述周緣部的與所述第2基板之間的界面改性的界面處理部;以及
控制裝置,其控制所述偏心檢測裝置、所述改性層形成裝置、所述周緣去除裝置以及所述界面處理裝置,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果,針對由所述界面處理部進行的處理,調整保持于所述其他保持部的所述層疊基板中的所述第1基板的中心。
7.根據權利要求6所述的基板處理系統,其中,
所述界面處理部通過向所述界面照射激光束而使該界面改性,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果,調整所述其他保持部的中心軸線或者來自所述界面處理部的激光束的照射軸線。
8.根據權利要求6所述的基板處理系統,其中,
該基板處理系統具有輸送裝置,該輸送裝置相對于所述偏心檢測裝置、所述改性層形成裝置、所述周緣去除裝置以及所述界面處理裝置輸送所述層疊基板,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果控制所述輸送裝置,以使所述第1基板的中心與所述其他保持部的中心一致的方式向所述其他保持部輸送所述層疊基板。
9.根據權利要求6所述的基板處理系統,其中,
所述周緣去除裝置包括對所述第1基板的非接合面進行磨削的磨削單元和進行所述層疊基板的位置調整的處理單元,
所述改性層形成裝置的所述其他保持部和所述界面處理部設于所述處理單元,
所述控制裝置基于所述偏心檢測裝置的檢測結果來控制所述處理單元。
10.根據權利要求1所述的基板處理系統,其中,
該基板處理系統具有接合裝置,該接合裝置接合所述第1基板和所述第2基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





