[發明專利]基板處理系統和基板處理方法

在審

• 申請號: 201980026998.3
• 申請日: 2019-04-16
• 公開（公告）號: CN112005359A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 川口義廣;森弘明;久野和哉
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;B23K26/02;B23K26/03;B23K26/60;B24B7/04;H01L21/301;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

一種基板處理系統，具備：預對準裝置，其具有預對準臺和檢測器，所述預對準臺保持被處理基板，所述檢測器檢測被保持于所述預對準臺的所述被處理基板的中心位置和結晶方位；以及激光加工裝置，其具有激光加工臺和激光加工頭，所述激光加工臺保持所述被處理基板，所述激光加工頭將用于加工所述被處理基板的激光光線聚光并照射至被保持于所述激光加工臺的所述被處理基板，其中，所述預對準裝置配置于所述激光加工裝置的上部。

技術領域

本公開涉及一種基板處理系統和基板處理方法。

背景技術

專利文獻1的切削裝置具有：盒載置機構，其用于載置收容有半導體晶圓的盒；對位機構，其使從盒搬出的半導體晶圓的中心位置對準結晶方位的位置；以及切削機構，其對從對位機構搬出的半導體晶圓進行切削。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-163184號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開的一個方式提供一種能夠減小對基板進行激光加工的基板處理系統的設置面積的技術。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式所涉及的基板處理裝置具備：

預對準裝置，其具有預對準臺和檢測器，所述預對準臺保持被處理基板，所述檢測器檢測被保持于所述預對準臺的所述被處理基板的中心位置和結晶方位；以及

激光加工裝置，其具有激光加工臺和激光加工頭，所述激光加工臺保持所述被處理基板，所述激光加工頭將用于加工所述被處理基板的激光光線聚光并照射至被保持于所述激光加工臺的所述被處理基板，

其中，所述預對準裝置配置于所述激光加工裝置的上部。

發明的效果

根據本公開的一個方式，能夠減小對基板進行激光加工的基板處理系統的設置面積。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式所涉及的基板處理系統的俯視圖。

圖2是表示一個實施方式所涉及的基板處理系統的圖，是沿圖1的II-II線得到的截面圖。

圖3是表示一個實施方式所涉及的被處理基板的立體圖。

圖4是表示一個實施方式所涉及的涂布裝置的圖。

圖5是表示向一個實施方式所涉及的接合裝置的壓力容器的內部供給壓縮空氣前后的狀態的圖。

圖6是表示將在圖5中用實線表示的接合裝置的密閉空間進行減壓后的狀態的一例的圖。

圖7是表示一個實施方式所涉及的激光加工裝置的圖。

圖8是表示一個實施方式所涉及的薄板化裝置的圖。

圖9是表示一個實施方式所涉及的基板處理方法的流程圖。

圖10是表示在進行被處理基板的激光加工后進行被處理基板的薄板化的情況下的繼圖9的工序S109之后進行的工序的一例的流程圖。

圖11是表示在進行被處理基板的薄板化后進行被處理基板的激光加工的情況下的繼圖9的工序S109之后進行的工序的一例的流程圖。

具體實施方式