[發(fā)明專利]多孔基質(zhì)中的核自旋超極化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980025672.9
• 申請日: 2019-02-19
• 公開（公告）號: CN111971569B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: E·布雷納特;J·馬頓斯;F·托萊勒;P·L·H·維洛伊;J-M·泰伯恩;J·坎普夫
• 申請（專利權(quán)）人: 布魯克法國股份公司
• 主分類號: G01R33/28
• 分類號: G01R33/28
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;鄭建暉

1.一種增強目標(biāo)分子的核自旋極化的方法，該方法包含：

提供超極化的源材料；

將源材料和目標(biāo)分子轉(zhuǎn)移至多孔基質(zhì)中，所述多孔基質(zhì)具有尺寸明顯不同的凹槽，第一組凹槽用于儲存源材料且在任意方向上的平均直徑為2-5nm，第二組凹槽——其比第一組的凹槽大——用作將源材料和目標(biāo)分子容納在一起的腔室，與此同時將超極化從源材料轉(zhuǎn)移至目標(biāo)分子，第二組凹槽的平均直徑小于20nm；

在外部壓力下將源材料和目標(biāo)分子限域于基質(zhì)的凹槽，持續(xù)預(yù)定的時間段；和

從多孔基質(zhì)中移出目標(biāo)分子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述源材料包含仲氫。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述外部壓力在所述預(yù)定的時間段內(nèi)基本恒定。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述外部壓力在高值和低值之間調(diào)節(jié)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述外部壓力以循環(huán)方式變化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述多孔基質(zhì)包含D4R-聚硅氧烷共聚物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述多孔基質(zhì)包含polyoligosiloxysilicone?2號(PSS-2)。

8.用于增強目標(biāo)分子的核自旋極化的磁共振增強系統(tǒng)，其包含：

超極化的源材料；

多孔基質(zhì)，將源材料與目標(biāo)分子一起轉(zhuǎn)移至所述多孔基質(zhì)中，所述多孔基質(zhì)具有尺寸明顯不同的凹槽，第一組凹槽用于儲存源材料且在任意方向上的平均直徑為2-5nm，第二組凹槽——其比第一組的凹槽大——用作將源材料和目標(biāo)分子容納在一起的腔室，與此同時將超極化從源材料轉(zhuǎn)移至目標(biāo)分子，第二組凹槽的平均直徑小于20nm；和

壓力源，其提供外部壓力，該外部壓力迫使源材料和目標(biāo)分子共限域于在基質(zhì)的凹槽中，持續(xù)預(yù)定的時間段，然后從所述多孔基質(zhì)中移出目標(biāo)分子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述源材料包含仲氫。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的系統(tǒng)，其中所述壓力源在所述預(yù)定的時間段內(nèi)施用基本恒定的壓力。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的系統(tǒng)，其中所述壓力源在高值和低值之間調(diào)節(jié)所述外部壓力。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述壓力源以循環(huán)方式改變所述外部壓力。

13.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的系統(tǒng)，其中所述多孔基質(zhì)包含D4R-聚硅氧烷共聚物。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述多孔基質(zhì)包含polyoligosiloxysilicone?2號(PSS-2)。